恭喜太浩研究有限公司G·比馬拉塞蒂獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜太浩研究有限公司申請的專利具有帶有經摻雜的子鰭部區域的ω形鰭部的非平面半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242791B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111364181.2，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權具有帶有經摻雜的子鰭部區域的ω形鰭部的非平面半導體器件及其制造方法是由G·比馬拉塞蒂;W·M·哈菲茲;J·樸;韓衛民;R·E·科特納;C-H·簡設計研發完成，并于2014-06-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有帶有經摻雜的子鰭部區域的ω形鰭部的非平面半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：說明了具有ω形鰭部的非平面半導體器件以及制造具有ω形鰭部的非平面半導體器件的方法，該ω形鰭部具有經摻雜的子鰭部區域。例如，一種半導體器件，包括設置在半導體襯底之上的多個半導體鰭部，每個半導體鰭部具有在突出部分下方的子鰭部部分，該子鰭部部分比該突出部分窄。固態摻雜劑源層設置在半導體襯底之上，與多個半導體鰭部中的每一個半導體鰭部的子鰭部區域共形，但不與突出部分共形。隔離層設置在固態摻雜劑源層之上并且在多個半導體鰭部的子鰭部區域之間。柵極疊置體設置在隔離層之上并與多個半導體鰭部中的每一個半導體鰭部的突出部分共形。
本發明授權具有帶有經摻雜的子鰭部區域的ω形鰭部的非平面半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在半導體襯底之上形成多個半導體鰭部；在所述半導體襯底之上形成與所述多個半導體鰭部共形的催化劑層；在所述催化劑層之上形成掩模；使所述掩模和所述催化劑層凹陷至所述多個半導體鰭部的頂部表面下方相同的水平，所述凹陷暴露出所述多個半導體鰭部中的每一個半導體鰭部的位于所述多個半導體鰭部中的每一個半導體鰭部的子鰭部區域之上的突出部分；使用所述催化劑層來氧化所述多個半導體鰭部中的每一個半導體鰭部的所述子鰭部區域的外部部分，以便催化氧化所述子鰭部區域；以及去除因氧化而形成的氧化物，以提供各自具有比所對應的突出部分窄的減薄的子鰭部區域的多個ω形鰭部。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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