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龍圖騰網恭喜榮芯半導體(淮安)有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法、電子裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119317138B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411833880.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種半導體器件及其制造方法、電子裝置是由肖莉紅;吳勝武設計研發完成，并于2024-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制造方法、電子裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其制造方法、電子裝置，該方法包括：提供襯底，襯底中形成有體區和漂移區；在襯底的表面上依次形成襯墊層和掩膜層；圖案化襯墊層和掩膜層以露出部分漂移區，并刻蝕襯底以在漂移區內形成溝槽；進行傾斜離子注入工藝，以在溝槽的底部和側壁形成阻擋層；去除位于溝槽的底部的阻擋層；形成場氧化層，場氧化層填充溝槽，其中，場氧化層的頂面高于襯底的表面；依次去除掩膜層和襯墊層；形成柵極結構，柵極結構覆蓋部分場氧化層并覆蓋部分體區和部分漂移區的表面。本發明在溝槽的側壁形成阻擋層，該阻擋層能夠避免在形成場氧化層時產生鳥嘴效應，從而形成近乎垂直的場氧化層，提升了器件性能。

本發明授權一種半導體器件及其制造方法、電子裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供襯底，所述襯底中形成有自所述襯底的表面延伸至所述襯底中的體區和漂移區，所述漂移區具有第一導電類型，所述體區具有第二導電類型；在所述襯底的表面上依次形成襯墊層和掩膜層，所述襯墊層包括氧化物層；圖案化所述襯墊層和所述掩膜層以露出部分所述漂移區，并刻蝕所述襯底以在所述漂移區內形成溝槽；進行傾斜離子注入工藝，以在所述溝槽的底部和側壁形成阻擋層，位于所述溝槽的側壁的所述阻擋層的厚度自上而下逐漸減小；去除位于所述溝槽的底部的所述阻擋層；通過爐管熱生長氧化層以形成場氧化層，所述場氧化層填充所述溝槽，其中，所述場氧化層的頂面高于所述襯底的表面；依次去除所述掩膜層和所述襯墊層；形成柵極結構，所述柵極結構覆蓋部分所述場氧化層并覆蓋部分所述體區和部分所述漂移區的表面；在進行所述傾斜離子注入工藝以形成所述阻擋層時，位于所述溝槽的側壁的所述阻擋層還延伸至所述襯墊層中并貫穿所述襯墊層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人榮芯半導體(淮安)有限公司，其通訊地址為：223302 江蘇省淮安市淮陰區長江東路599號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。