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龍圖騰網(wǎng)恭喜榮芯半導體(淮安)有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法、電子裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119317138B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411833880.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)一種半導體器件及其制造方法、電子裝置是由肖莉紅;吳勝武設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制造方法、電子裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導體器件及其制造方法、電子裝置，該方法包括：提供襯底，襯底中形成有體區(qū)和漂移區(qū)；在襯底的表面上依次形成襯墊層和掩膜層；圖案化襯墊層和掩膜層以露出部分漂移區(qū)，并刻蝕襯底以在漂移區(qū)內(nèi)形成溝槽；進行傾斜離子注入工藝，以在溝槽的底部和側(cè)壁形成阻擋層；去除位于溝槽的底部的阻擋層；形成場氧化層，場氧化層填充溝槽，其中，場氧化層的頂面高于襯底的表面；依次去除掩膜層和襯墊層；形成柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分場氧化層并覆蓋部分體區(qū)和部分漂移區(qū)的表面。本發(fā)明在溝槽的側(cè)壁形成阻擋層，該阻擋層能夠避免在形成場氧化層時產(chǎn)生鳥嘴效應，從而形成近乎垂直的場氧化層，提升了器件性能。

本發(fā)明授權(quán)一種半導體器件及其制造方法、電子裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供襯底，所述襯底中形成有自所述襯底的表面延伸至所述襯底中的體區(qū)和漂移區(qū)，所述漂移區(qū)具有第一導電類型，所述體區(qū)具有第二導電類型；在所述襯底的表面上依次形成襯墊層和掩膜層，所述襯墊層包括氧化物層；圖案化所述襯墊層和所述掩膜層以露出部分所述漂移區(qū)，并刻蝕所述襯底以在所述漂移區(qū)內(nèi)形成溝槽；進行傾斜離子注入工藝，以在所述溝槽的底部和側(cè)壁形成阻擋層，位于所述溝槽的側(cè)壁的所述阻擋層的厚度自上而下逐漸減??；去除位于所述溝槽的底部的所述阻擋層；通過爐管熱生長氧化層以形成場氧化層，所述場氧化層填充所述溝槽，其中，所述場氧化層的頂面高于所述襯底的表面；依次去除所述掩膜層和所述襯墊層；形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分所述場氧化層并覆蓋部分所述體區(qū)和部分所述漂移區(qū)的表面；在進行所述傾斜離子注入工藝以形成所述阻擋層時，位于所述溝槽的側(cè)壁的所述阻擋層還延伸至所述襯墊層中并貫穿所述襯墊層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人榮芯半導體(淮安)有限公司，其通訊地址為：223302 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路599號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。