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龍圖騰網恭喜江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119317261B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411856426.7，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權一種發光二極管芯片及其制備方法是由李文濤;鄒燕玲;張存磊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2024-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種發光二極管芯片及其制備方法，其中發光二極管芯片的制備方法包括：提供一生長所需的襯底，在襯底上依次沉積N型半導體層、有源發光層以及P型半導體層；在P型半導體層上制備N型導電通孔；在P型半導體層以及N型導電通孔上制備電流擴展層；在電流擴展層、未被電流擴展層覆蓋的P型半導體層以及未被電流擴展層覆蓋的N型導電通孔上制備電流阻擋層；在電流阻擋層上制備電流阻擋層通孔；在電流阻擋層以及電流阻擋層通孔上制備第一半導體層；剝離襯底完全暴露出N型半導體層的底部；在N型半導體層的底部制備第二半導體層；在第一半導體層上制備N型焊盤。

本發明授權一種發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：S1，提供一生長所需的襯底，在所述襯底上依次沉積N型半導體層、有源發光層以及P型半導體層；S2，在所述P型半導體層上制備N型導電通孔；其中，制備所述N型導電通孔的具體步驟包括：在所述P型半導體層表面涂布光刻膠，然后利用曝光、顯影工藝去除掉部分光刻膠，暴露出部分P型半導體層，然后利用電感耦合等離子體刻蝕工藝去除掉暴露出的P型半導體層及這部分P型半導體層下面的有源發光層，形成所述N型導電通孔，然后去除多余的光刻膠；S3，在所述P型半導體層以及所述N型導電通孔上制備電流擴展層；S4，在所述電流擴展層、未被所述電流擴展層覆蓋的P型半導體層以及未被所述電流擴展層覆蓋的N型導電通孔上制備電流阻擋層；S5，在所述電流阻擋層的表面涂布光刻膠，然后利用曝光、顯影去除掉部分光刻膠暴露出這部分光刻膠下面的電流阻擋層，然后利用BOE腐蝕液腐蝕掉暴露出的這部分電流阻擋層，形成電流阻擋層通孔；其中，所述電流阻擋層通孔圍繞所述N型導電通孔設置，所述電流阻擋層通孔的投影面積在距離所述N型導電通孔邊緣500um-200um處線性增加，在距離所述N型導電通孔邊緣200um-0um處線性減少，且在距離所述N型導電通孔邊緣500um-200um之間所有電流阻擋層通孔的面積之和大于距離所述N型導電通孔邊緣500um-200um之間依舊保留的電流阻擋層的面積，在距離所述N型導電通孔邊緣200um-0um之間所有電流阻擋層通孔的面積之和小于距離所述N型導電通孔邊緣200um-0um之間依舊保留的電流阻擋層的面積；S6，在所述電流阻擋層以及所述電流阻擋層通孔上制備第一半導體層；S7，剝離所述襯底完全暴露出所述N型半導體層的底部；S8，在所述N型半導體層的底部制備第二半導體層；S9，在所述第一半導體層上制備N型焊盤。

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