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龍圖騰網(wǎng)恭喜微玖(蘇州)光電科技有限公司申請的專利一種利用多層掩膜與分段刻蝕改善Micro LED臺面形貌的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119486395B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510038807.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)一種利用多層掩膜與分段刻蝕改善Micro LED臺面形貌的方法是由余鹿鳴;王月;張宇;黃振;王程功;鄭鵬遠(yuǎn);李明設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種利用多層掩膜與分段刻蝕改善Micro LED臺面形貌的方法在說明書摘要公布了：一種利用多層掩膜與分段刻蝕改善MicroLED臺面形貌的方法，屬于半導(dǎo)體加工工藝技術(shù)領(lǐng)域。首先是在外延層表面沉積SiO2掩膜層，再通過勻膠、曝光、顯影得到光刻膠通孔結(jié)構(gòu)；然后沉積鉻金屬膜層后抬離光刻膠，制備圖形化鉻金屬膜層；再以圖形化鉻金屬膜層為掩膜，刻蝕制備圖形化SiO2掩膜層；以高Cl2BCl3流量比刻蝕氣體進(jìn)行圖形化鉻金屬膜層+外延層上部區(qū)域的刻蝕，以低Cl2BCl3流量比刻蝕氣體進(jìn)行圖形化SiO2掩膜層+外延層下部區(qū)域的刻蝕；本發(fā)明通過調(diào)整兩段刻蝕過程的時(shí)間與刻蝕氣體的流量參數(shù)，可以控制鉻金屬膜層消耗完畢的時(shí)間點(diǎn)，進(jìn)而達(dá)成控制臺面上下直徑、控制刻蝕角度的效果。

本發(fā)明授權(quán)一種利用多層掩膜與分段刻蝕改善Micro LED臺面形貌的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種利用多層掩膜與分段刻蝕改善MicroLED臺面形貌的方法，其特征在于：其步驟如下，（a）在外延層表面沉積厚度100~500nm的SiO2掩膜層；（b）圖形化工藝：在步驟（a）得到的SiO2掩膜層上旋涂光刻膠，光刻膠為LOR膠+正膠；固化后進(jìn)行紫外掩膜曝光，然后使用顯影液去除曝光的光刻膠；掩膜版為周期排列的圓形通孔結(jié)構(gòu)，即需要制備的MicroLED臺面結(jié)構(gòu)，通孔內(nèi)區(qū)域?yàn)橥腹獠糠郑變?nèi)的光刻膠被紫外曝光；（c）沉積鉻金屬膜層后抬離光刻膠，制備圖形化鉻金屬膜層：在步驟（b）得到的器件表面沉積厚度10~300nm的鉻金屬膜層；再使用有機(jī)溶劑浸泡得到的器件，并吹掃器件表面，使得下表面有光刻膠的鉻金屬膜層連同光刻膠一起脫離器件表面，在需要制備的MicroLED臺面之上得到圖形化鉻金屬膜層；（d）以圖形化鉻金屬膜層為掩膜，刻蝕制備圖形化SiO2掩膜層：在步驟（c）得到的圖形化鉻金屬膜層的掩膜下，使用ICP工藝對SiO2掩膜層進(jìn)行刻蝕；刻透無圖形化鉻金屬膜層覆蓋的SiO2掩膜層至外延層表面，在圖形化鉻金屬膜層的下面得到圖形化SiO2掩膜層，圖形化鉻金屬膜層和圖形化SiO2掩膜層共同構(gòu)成MicroLED臺面掩膜層；（e）以高Cl2BCl3流量比刻蝕氣體進(jìn)行圖形化鉻金屬膜層+外延層上部區(qū)域的刻蝕：使用ICP工藝對步驟（d）得到的圖形化鉻金屬膜層和無圖形化鉻金屬膜層覆蓋的外延層上部區(qū)域進(jìn)行刻蝕，Cl2流量為BCl3流量的1.5~3倍，刻透圖形化鉻金屬膜層和原來無圖形化鉻金屬膜層覆蓋的外延層上部區(qū)域，即將原來無圖形化鉻金屬膜層覆蓋的外延層的上表面刻蝕掉一部分；（f）以低Cl2BCl3流量比刻蝕氣體進(jìn)行圖形化SiO2掩膜層+外延層下部區(qū)域的刻蝕：使用ICP工藝對步驟（e）得到的圖形化SiO2掩膜層和外延層下部區(qū)域進(jìn)行刻蝕，BCl3流量為Cl2流量的1.5~3倍，刻透圖形化SiO2掩膜層和原來無圖形化SiO2掩膜層覆蓋的外延層下部區(qū)域，露出MicroLED臺面之外的襯底材料，從而利用多層掩膜與分段刻蝕實(shí)現(xiàn)MicroLED臺面形貌的改善。

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