恭喜劍橋實業有限公司;砧半導體有限公司大衛·約翰·沃利斯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜劍橋實業有限公司;砧半導體有限公司申請的專利閃鋅礦結構III族氮化物獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116259531B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310334031.X，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權閃鋅礦結構III族氮化物是由大衛·約翰·沃利斯;馬丁·弗倫特魯普;門諾·約翰尼斯·卡珀斯;蘇曼拉塔·莎歐塔設計研發完成，并于2018-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本閃鋅礦結構III族氮化物在說明書摘要公布了：公開了一種制造包括001取向的閃鋅礦結構III族氮化物層的半導體結構的方法，例如GaN。該層形成在硅襯底上的3C?SiC層上。形成成核層，進行再結晶，然后通過MOVPE在750?1000℃范圍內的T3溫度下形成厚度至少為0.5μm的閃鋅礦結構Ⅲ族氮化物層。還公開了相應的包括閃鋅礦結構III族氮化物層的半導體結構，當通過XRD表征時，該層的大部分或全部由閃鋅礦結構III族氮化物形成，優先于纖鋅礦結構III族氮化物。
本發明授權閃鋅礦結構III族氮化物在權利要求書中公布了：1.一種制造包括（001）取向的閃鋅礦結構III族氮化物層的半導體結構的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： 提供硅襯底； 在所述硅襯底上提供3C-SiC層； 使所述3C-SiC層在800-1100°C范圍內的T1溫度下進行氮化步驟； 在550-650°C范圍內的T2溫度下以0.1-1nms的速率生長閃鋅礦結構III族氮化物成核層至10-100nm范圍內的厚度； 在800-920°C范圍內的T3溫度下進行成核層再結晶步驟；和 通過MOVPE在800-920°C范圍內的T3溫度下沉積和生長閃鋅礦結構III族氮化物層至厚度至少為0.3μm； 其中所述III族氮化物層是基于InxAlyGa1-x-yN的層，其中0≤x≤1，0≤y≤1。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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