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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會社申請的專利包括柵極分離區(qū)的半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110416292B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910279488.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)包括柵極分離區(qū)的半導(dǎo)體器件是由閔宣基設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-04-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本包括柵極分離區(qū)的半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：提供了一種包括柵極分離區(qū)的半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：有源區(qū)之間的隔離區(qū)；所述隔離區(qū)上的層間絕緣層；與所述有源區(qū)重疊的柵極線結(jié)構(gòu)，所述柵極線結(jié)構(gòu)位于所述隔離區(qū)上并具有彼此相對的端部；以及所述隔離區(qū)上的柵極分離區(qū)，所述柵極分離區(qū)位于所述柵極線結(jié)構(gòu)的彼此相對的端部之間，并且位于所述層間絕緣層之間。所述柵極分離區(qū)包括間隙填充層和緩沖結(jié)構(gòu)，緩沖結(jié)構(gòu)包括緩沖襯層，所述緩沖襯層位于所述間隙填充層與所述隔離區(qū)之間，位于所述柵極線結(jié)構(gòu)的彼此相對的端部與所述間隙填充層的側(cè)表面之間，并且位于所述層間絕緣層與所述間隙填充層的側(cè)表面之間。

本發(fā)明授權(quán)包括柵極分離區(qū)的半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括：有源區(qū)之間的隔離區(qū)；所述隔離區(qū)上的層間絕緣層；與所述有源區(qū)重疊的柵極線結(jié)構(gòu)，所述柵極線結(jié)構(gòu)位于所述隔離區(qū)上并具有彼此相對的端部；以及所述隔離區(qū)上的柵極分離區(qū)，所述柵極分離區(qū)位于所述柵極線結(jié)構(gòu)的彼此相對的端部之間，并且位于所述層間絕緣層之間,其中：所述柵極分離區(qū)包括間隙填充層和緩沖結(jié)構(gòu)，所述緩沖結(jié)構(gòu)包括緩沖襯層，所述緩沖襯層位于所述間隙填充層與所述隔離區(qū)之間，位于所述柵極線結(jié)構(gòu)的彼此相對的端部與所述間隙填充層的側(cè)表面之間，并且位于所述層間絕緣層與所述間隙填充層的側(cè)表面之間，其中，形成所述緩沖襯層的絕緣材料的介電常數(shù)低于形成所述間隙填充層的絕緣材料的介電常數(shù)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。