恭喜三星電子株式會社閔宣基獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利包括柵極分離區的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110416292B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910279488.9，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權包括柵極分離區的半導體器件是由閔宣基設計研發完成，并于2019-04-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括柵極分離區的半導體器件在說明書摘要公布了：提供了一種包括柵極分離區的半導體器件。所述半導體器件包括：有源區之間的隔離區；所述隔離區上的層間絕緣層；與所述有源區重疊的柵極線結構，所述柵極線結構位于所述隔離區上并具有彼此相對的端部；以及所述隔離區上的柵極分離區，所述柵極分離區位于所述柵極線結構的彼此相對的端部之間，并且位于所述層間絕緣層之間。所述柵極分離區包括間隙填充層和緩沖結構，緩沖結構包括緩沖襯層，所述緩沖襯層位于所述間隙填充層與所述隔離區之間，位于所述柵極線結構的彼此相對的端部與所述間隙填充層的側表面之間，并且位于所述層間絕緣層與所述間隙填充層的側表面之間。
本發明授權包括柵極分離區的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：有源區之間的隔離區；所述隔離區上的層間絕緣層；與所述有源區重疊的柵極線結構，所述柵極線結構位于所述隔離區上并具有彼此相對的端部；以及所述隔離區上的柵極分離區，所述柵極分離區位于所述柵極線結構的彼此相對的端部之間，并且位于所述層間絕緣層之間,其中：所述柵極分離區包括間隙填充層和緩沖結構，所述緩沖結構包括緩沖襯層，所述緩沖襯層位于所述間隙填充層與所述隔離區之間，位于所述柵極線結構的彼此相對的端部與所述間隙填充層的側表面之間，并且位于所述層間絕緣層與所述間隙填充層的側表面之間，其中，形成所述緩沖襯層的絕緣材料的介電常數低于形成所述間隙填充層的絕緣材料的介電常數。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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