恭喜朗姆研究公司阿希爾·辛格哈爾獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利從室清除SnO2膜的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112640041B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980053179.8，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權從室清除SnO2膜的方法是由阿希爾·辛格哈爾;達斯汀·扎卡里·奧斯丁;何鐘碩;劉培池設計研發完成，并于2019-08-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本從室清除SnO2膜的方法在說明書摘要公布了：提供了一種從處理室清除SnO2殘留物的方法以作為一實施方案。該方法實施方案包含將烴氣和氫氣以1％至60％的比率引入等離子體處理系統中。利用由等離子體源所產生的等離子體以從處理室的表面蝕刻該SnO2殘留物。該SnH4氣體與該烴氣進行反應以生成可揮發的有機錫化合物。該方法還提供將該有機錫化合物從該處理室中排空。以1％至60％的比率將該烴氣與該氫氣一起引入使得SnH4氣體分解成Sn粉末的速率降低。
本發明授權從室清除SnO2膜的方法在權利要求書中公布了：1.一種從處理室清除SnO2殘留物的方法，其包含：將烴氣和氫氣引入等離子體處理系統中；利用由所述等離子體處理系統的等離子體源所產生的等離子體從所述處理室的表面蝕刻結晶形式的所述SnO2殘留物，使用所述氫氣蝕刻所述SnO2殘留物而產生SnH4氣體，所述SnH4氣體與所述烴氣進行反應以生成能揮發的有機錫化合物，其中從所述SnH4氣體生成所述有機錫化合物使得能用于分解成Sn粉末的SnH4氣體的量減少；以及將所述有機錫化合物從所述處理室中排空，其中所述烴氣的流量比所述氫氣的流量的比率是至少1%的烴氣比氫氣并且是小于60%的烴氣比氫氣，其中將所述烴氣和所述氫氣引入至所述處理室中以通過CCP源而產生等離子體，以及引入至ICP源中以通過所述ICP源而產生等離子體，其中由所述CCP源和所述ICP源所產生的自由基被用于所述蝕刻。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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