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龍圖騰網恭喜法國原子能源和替代能源委員會申請的專利用于制作光發射二極管或光接收二極管的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112736165B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011165024.4，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權用于制作光發射二極管或光接收二極管的方法是由L·杜普來;H·富尼耶;F·亨利設計研發完成，并于2020-10-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于制作光發射二極管或光接收二極管的方法在說明書摘要公布了：本發明提供了用于制作光發射二極管或光接收二極管102的方法，包括：在第一襯底104上制作具有相反摻雜的第一半導體層和第二半導體層以及第三本征半導體層；刻蝕溝槽，所述溝槽圍繞第二層和第三層以及第一層的第一部分的剩余部分126、128、130；在溝槽中制作覆蓋所述剩余部分的側壁的電介質間隔體132；進行刻蝕，使溝槽延伸到第一襯底；橫向刻蝕電介質間隔體的一部分，暴露第一層的第二部分的接觸表面136；在溝槽中制作與第一層的第二部分的接觸表面以及第一層的第二部分的側面接觸的第一電極。

本發明授權用于制作光發射二極管或光接收二極管的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制作至少一個光發射二極管或光接收二極管102的方法，該方法至少包括：在第一襯底104上制作至少一個疊層117，該疊層包括根據相反導電類型摻雜的第一半導體層106和第二半導體層114以及設置在所述第一層106和所述第二層114之間的至少一個本征半導體的第三層112，所述第一層106設置在所述第一襯底104和所述第三層112之間；刻蝕溝槽120，該溝槽120穿過所述第二層114和所述第三層112以及所述第一層106的第一部分122，圍繞所述第二層114和所述第三層112的剩余部分126、128以及所述第一層106的所述第一部分122的剩余部分130，并且使得所述溝槽的底壁由設置在所述第一層106的所述第一部分122和所述第一襯底104之間的所述第一層106的第二部分123形成；在所述溝槽120中制作覆蓋所述剩余部分126、128、130的側壁的至少一個電介質間隔體132；進行刻蝕，使所述溝槽120延伸穿過所述第一層106的所述第二部分123的未被所述電介質間隔體132覆蓋的部分，直到所述第一襯底104；橫向刻蝕所述電介質間隔體132的一部分，暴露所述第一層106的所述第二部分123的接觸表面136；在所述溝槽120中制作至少一個第一電極144，該第一電極144與所述第一層106的所述第二部分123的所述接觸表面136以及所述第一層106的所述第二部分123的側面接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人法國原子能源和替代能源委員會，其通訊地址為：法國巴黎；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。