恭喜三星電子株式會社李昌普獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體器件及制造該半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113223971B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011216450.6，技術領域涉及：H01L21/50；該發明授權半導體器件及制造該半導體器件的方法是由李昌普;孫瓘后;吳俊錫設計研發完成，并于2020-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及制造該半導體器件的方法在說明書摘要公布了：公開了半導體器件及制造半導體器件的方法。所述方法包括：提供載體基板，所述載體基板包括導電層；將半導體裸片置于所述載體基板上；形成絕緣層以在所述載體基板上覆蓋所述半導體裸片；形成通孔以在所述半導體裸片的側方穿透所述絕緣層并暴露所述載體基板的所述導電層；執行電鍍工藝以形成填充所述通孔的通路，在所述電鍍工藝中所述載體基板的所述導電層用作晶種；在和所述絕緣層的第一表面上形成第一再分布層；去除所述載體基板；以及在所述半導體裸片的第二表面和所述絕緣層上形成第二再分布層，所述第一表面和所述第二表面彼此相對。
本發明授權半導體器件及制造該半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：提供載體基板，所述載體基板包括導電層；將半導體裸片置于所述載體基板上；形成絕緣層以在所述載體基板上覆蓋所述半導體裸片；形成通孔以在所述半導體裸片的側方穿透所述絕緣層并暴露所述載體基板的所述導電層；形成覆蓋所述通孔的底表面和內側表面的晶種層，其中，所述晶種層與所述載體基板的所述導電層接觸；執行電鍍工藝以形成填充所述通孔的通路，在所述電鍍工藝中所述導電層和所述晶種層用作晶種；在所述絕緣層的第一表面上形成第一再分布層；去除所述載體基板；以及在所述半導體裸片和所述絕緣層的第二表面上形成第二再分布層，所述第一表面和所述第二表面彼此相對。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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