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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所申請的專利一種多電極半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112821192B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110115525.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/042；該發(fā)明授權(quán)一種多電極半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)是由謝鵬飛;雷軍;呂文強;張永剛;高松信;杜維川;唐淳設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種多電極半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種多電極半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，屬于激光技術(shù)領(lǐng)域，包括多電極半導(dǎo)體激光芯片和熱沉；多電極半導(dǎo)體激光芯片包括若干個芯片區(qū)；芯片區(qū)包括芯片區(qū)正極和芯片區(qū)負極；熱沉包括負極金屬化層和若干個互相絕緣的正極金屬化層；若干個正極金屬化層與若干個芯片區(qū)的芯片區(qū)正極一一對應(yīng)，且芯片區(qū)正極附在對應(yīng)的正極金屬化層上；若干個芯片區(qū)的芯片區(qū)負極和負極金屬化層電導(dǎo)通。本發(fā)明的一種多電極半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，可以滿足在不同電極注入大小不同的電流，不同電極對之間不會發(fā)生短路，從而實現(xiàn)多電極半導(dǎo)體激光芯片的功能，散熱性能好，穩(wěn)定可靠。

本發(fā)明授權(quán)一種多電極半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多電極半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括多電極半導(dǎo)體激光芯片1和熱沉2；所述多電極半導(dǎo)體激光芯片1包括若干個芯片區(qū)3；所述芯片區(qū)3包括芯片區(qū)正極4和芯片區(qū)負極5；所述熱沉2包括負極金屬化層6和若干個互相絕緣的正極金屬化層7；若干個正極金屬化層7與若干個芯片區(qū)3的芯片區(qū)正極4一一對應(yīng)，且芯片區(qū)正極4附在對應(yīng)的正極金屬化層7上；若干個芯片區(qū)3的芯片區(qū)負極5和負極金屬化層6電導(dǎo)通；若干個芯片區(qū)3的芯片區(qū)負極5和負極金屬化層6通過若干個電極引線8相連；所述熱沉2還包括基板9；所述負極金屬化層6和若干個正極金屬化層7設(shè)在基板9頂面；所述芯片區(qū)3的頂面為芯片區(qū)負極5，底面為芯片區(qū)正極4；若干個正極金屬化層7之間設(shè)有第一絕緣間隙10；所述負極金屬化層6和若干個正極金屬化層7之間設(shè)有第二絕緣間隙11；所述正極金屬化層7的尺寸超出對應(yīng)的芯片區(qū)3的芯片區(qū)正極4的尺寸；所述基板9上設(shè)有若干個互相平行的貫穿孔13；所述貫穿孔13的一端口側(cè)設(shè)有壓電風(fēng)機；所述基板9兩側(cè)均固定有柵板14；所述柵板14超出多電極半導(dǎo)體激光芯片1的頂面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所，其通訊地址為：621000 四川省綿陽市游仙區(qū)919信箱1013分箱；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。