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龍圖騰網(wǎng)恭喜大連理工大學(xué)申請的專利一種基于激光石墨化技術(shù)的新型碳化硅器件及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115911173B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211439666.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/29；該發(fā)明授權(quán)一種基于激光石墨化技術(shù)的新型碳化硅器件及制備方法是由夏曉川;徐瑞良;張振中;柳陽;張賀秋;張赫之;張克雄;馬浩然;梁紅偉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于激光石墨化技術(shù)的新型碳化硅器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于激光石墨化技術(shù)的新型碳化硅器件及制備方法，包括高阻碳化硅單晶片、二氧化硅保護(hù)層、金屬電極、連接電極和引線電極；金屬電極位于高阻碳化硅單晶片內(nèi)部；二氧化硅保護(hù)層圍繞金屬電極周圍布置，覆蓋在非金屬電極所在區(qū)域的高阻碳化硅單晶片的上表面，保證高阻碳化硅單晶片和金屬電極在同一平面；連接電極位于金屬電極上，保證連接電極與二氧化硅保護(hù)層在同一平面；引線電極位于連接電極和二氧化硅保護(hù)層上表面。本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種新型碳化硅器件，并提出了一種有效而簡便的工藝制造技術(shù)，解決了碳化硅基高能粒子與射線探測器的制備和性能難題，實(shí)現(xiàn)新型碳化硅輻射探測器的研制。

本發(fā)明授權(quán)一種基于激光石墨化技術(shù)的新型碳化硅器件及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于激光石墨化技術(shù)的碳化硅器件，該碳化硅器件包括高阻碳化硅單晶片1、二氧化硅保護(hù)層2、金屬電極3、連接電極4和引線電極5；所述的高阻碳化硅單晶片1為主體結(jié)構(gòu)；所述的金屬電極3位于高阻碳化硅單晶片1內(nèi)部；所述的二氧化硅保護(hù)層2圍繞金屬電極3周圍布置，覆蓋在非金屬電極3所在區(qū)域的高阻碳化硅單晶片1的上表面，保證高阻碳化硅單晶片1和金屬電極3在同一平面；所述的連接電極4位于金屬電極3上，保證連接電極4與二氧化硅保護(hù)層2在同一平面；引線電極5位于連接電極4和二氧化硅保護(hù)層2上表面；其特征在于，步驟如下：步驟1：在高阻碳化硅單晶片1上，采用脈沖激光制備通孔陣列，通孔直徑為1μm～500μm，陰極和陽極陣列交替排列，同行陽極之間間距5μm～300μm，同行陰極之間間距5μm～300μm，相鄰陰極與陽極之間間距10μm～800μm；步驟2：使用氫氟酸與去離子水的混合溶液超聲5min～20min，除去激光加工后的副產(chǎn)物；步驟3：用電化學(xué)沉積金屬技術(shù)來進(jìn)行通孔中金屬電極3制備，同時(shí)采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)使得電化學(xué)沉積的金屬電極3與高阻碳化硅單晶片1表面在同一平面；步驟4：采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)在高阻碳化硅單晶片1表面沉積10nm～600nm二氧化硅保護(hù)層2；步驟5：使用光刻技術(shù)，在具有通孔的位置進(jìn)行開窗口，采用氫氟酸溶液刻蝕二氧化硅保護(hù)層2；步驟6：采用熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)方法制備連接電極4，厚度不低于沉積二氧化硅的厚度，后采用CMP技術(shù)，使得連接電極4與二氧化硅層2保持同一高度；步驟7：采用光刻技術(shù)，來制作引線電極5。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人大連理工大學(xué)，其通訊地址為：116024 遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。