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龍圖騰網恭喜大連理工大學申請的專利一種基于激光石墨化技術的新型碳化硅器件及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115911173B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211439666.8，技術領域涉及：H10F30/29；該發明授權一種基于激光石墨化技術的新型碳化硅器件及制備方法是由夏曉川;徐瑞良;張振中;柳陽;張賀秋;張赫之;張克雄;馬浩然;梁紅偉設計研發完成，并于2022-11-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于激光石墨化技術的新型碳化硅器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體器件制備技術領域，公開了一種基于激光石墨化技術的新型碳化硅器件及制備方法，包括高阻碳化硅單晶片、二氧化硅保護層、金屬電極、連接電極和引線電極；金屬電極位于高阻碳化硅單晶片內部；二氧化硅保護層圍繞金屬電極周圍布置，覆蓋在非金屬電極所在區域的高阻碳化硅單晶片的上表面，保證高阻碳化硅單晶片和金屬電極在同一平面；連接電極位于金屬電極上，保證連接電極與二氧化硅保護層在同一平面；引線電極位于連接電極和二氧化硅保護層上表面。本發明設計了一種新型碳化硅器件，并提出了一種有效而簡便的工藝制造技術，解決了碳化硅基高能粒子與射線探測器的制備和性能難題，實現新型碳化硅輻射探測器的研制。

本發明授權一種基于激光石墨化技術的新型碳化硅器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于激光石墨化技術的碳化硅器件，該碳化硅器件包括高阻碳化硅單晶片1、二氧化硅保護層2、金屬電極3、連接電極4和引線電極5；所述的高阻碳化硅單晶片1為主體結構；所述的金屬電極3位于高阻碳化硅單晶片1內部；所述的二氧化硅保護層2圍繞金屬電極3周圍布置，覆蓋在非金屬電極3所在區域的高阻碳化硅單晶片1的上表面，保證高阻碳化硅單晶片1和金屬電極3在同一平面；所述的連接電極4位于金屬電極3上，保證連接電極4與二氧化硅保護層2在同一平面；引線電極5位于連接電極4和二氧化硅保護層2上表面；其特征在于，步驟如下：步驟1：在高阻碳化硅單晶片1上，采用脈沖激光制備通孔陣列，通孔直徑為1μm～500μm，陰極和陽極陣列交替排列，同行陽極之間間距5μm～300μm，同行陰極之間間距5μm～300μm，相鄰陰極與陽極之間間距10μm～800μm；步驟2：使用氫氟酸與去離子水的混合溶液超聲5min～20min，除去激光加工后的副產物；步驟3：用電化學沉積金屬技術來進行通孔中金屬電極3制備，同時采用化學機械拋光技術使得電化學沉積的金屬電極3與高阻碳化硅單晶片1表面在同一平面；步驟4：采用微波等離子體化學氣相沉積技術在高阻碳化硅單晶片1表面沉積10nm～600nm二氧化硅保護層2；步驟5：使用光刻技術，在具有通孔的位置進行開窗口，采用氫氟酸溶液刻蝕二氧化硅保護層2；步驟6：采用熱蒸發或電子束蒸發方法制備連接電極4，厚度不低于沉積二氧化硅的厚度，后采用CMP技術，使得連接電極4與二氧化硅層2保持同一高度；步驟7：采用光刻技術，來制作引線電極5。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人大連理工大學，其通訊地址為：116024 遼寧省大連市甘井子區凌工路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。