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龍圖騰網恭喜中國科學院重慶綠色智能技術研究院;重慶大學申請的專利一種晶圓級二維材料的潔凈轉移方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116621167B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310603143.0，技術領域涉及：C01B32/194；該發明授權一種晶圓級二維材料的潔凈轉移方法是由張永娜;姜浩;李占成;石彪;史浩飛設計研發完成，并于2023-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種晶圓級二維材料的潔凈轉移方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種晶圓級二維材料的潔凈轉移方法，屬于二維材料轉移技術領域。具體方法為：在銅層上旋涂制備聚合物薄膜，再利用電化學法分離出聚合物薄膜，隨后采用銅箔二維材料襯底將其撈取獲得聚合物薄膜二維材料銅箔，刻蝕法去除銅箔后以目標襯底撈取獲得聚合物薄膜二維材料目標襯底，最后采用硅膠膜物理粘附去除聚合物薄膜獲得二維材料目標襯底，從而實現二維材料的潔凈轉移。該方法采用含大側基官能團的丙烯酸酯類聚合物作轉移介質，通過預制聚合物薄膜并結合硅膠膜物理去除聚合物薄膜，削弱了聚合物薄膜與二維材料間的相互作用力，避免了聚合物在二維材料表面的殘留，轉移的二維材料具有表面干凈、均勻完整、聚合物殘留少的特點。

本發明授權一種晶圓級二維材料的潔凈轉移方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓級二維材料的潔凈轉移方法，其特征在于：所述方法包括如下步驟：S1:在平整的無機襯底表面鍍銅，形成厚度為100～300nm的銅層；S2：將聚合物溶液旋涂在步驟S1中所述銅層上，然后于60～120℃下干燥10～50min，在所述銅層上形成聚合物薄膜，獲得無機襯底銅層聚合物薄膜；所述聚合物溶液中的聚合物為聚丙烯酸降冰片酯或聚丙烯酸叔丁醇酯中的任意一種；S3：采用電化學法分離步驟S2中所述無機襯底銅層聚合物薄膜，獲得混合物，所述混合物中厚度為20～80nm的聚合物薄膜漂浮于水面；S4：將銅箔二維材料襯底加入到步驟S3中所述混合物中撈取所述聚合物薄膜，取出后干燥獲得聚合物薄膜二維材料銅箔；S5：在步驟S4中所述聚合物薄膜二維材料銅箔中銅箔的表面用刻蝕法將銅箔刻蝕除去，經去離子水漂洗獲得聚合物薄膜二維材料的水溶液；S6：將目標襯底加入到步驟S5中所述聚合物薄膜二維材料的水溶液中撈取所述聚合物薄膜二維材料，取出干燥后獲得聚合物薄膜二維材料目標襯底；S7：將硅膠膜粘附在步驟S6中所述聚合物薄膜二維材料目標襯底中聚合物薄膜的表面，然后于0.2～1.5Mpa下脫泡獲得硅膠膜聚合物薄膜二維材料目標襯底；S8：揭去步驟S7中所述硅膠膜聚合物薄膜二維材料目標襯底中硅膠膜聚合物薄膜即可獲得二維材料目標襯底。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院重慶綠色智能技術研究院;重慶大學，其通訊地址為：400714 重慶市北碚區方正大道266號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。