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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院;重慶大學(xué)申請的專利一種晶圓級二維材料的潔凈轉(zhuǎn)移方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116621167B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310603143.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C01B32/194；該發(fā)明授權(quán)一種晶圓級二維材料的潔凈轉(zhuǎn)移方法是由張永娜;姜浩;李占成;石彪;史浩飛設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-05-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種晶圓級二維材料的潔凈轉(zhuǎn)移方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種晶圓級二維材料的潔凈轉(zhuǎn)移方法，屬于二維材料轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域。具體方法為：在銅層上旋涂制備聚合物薄膜，再利用電化學(xué)法分離出聚合物薄膜，隨后采用銅箔二維材料襯底將其撈取獲得聚合物薄膜二維材料銅箔，刻蝕法去除銅箔后以目標(biāo)襯底撈取獲得聚合物薄膜二維材料目標(biāo)襯底，最后采用硅膠膜物理粘附去除聚合物薄膜獲得二維材料目標(biāo)襯底，從而實現(xiàn)二維材料的潔凈轉(zhuǎn)移。該方法采用含大側(cè)基官能團的丙烯酸酯類聚合物作轉(zhuǎn)移介質(zhì)，通過預(yù)制聚合物薄膜并結(jié)合硅膠膜物理去除聚合物薄膜，削弱了聚合物薄膜與二維材料間的相互作用力，避免了聚合物在二維材料表面的殘留，轉(zhuǎn)移的二維材料具有表面干凈、均勻完整、聚合物殘留少的特點。

本發(fā)明授權(quán)一種晶圓級二維材料的潔凈轉(zhuǎn)移方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶圓級二維材料的潔凈轉(zhuǎn)移方法，其特征在于：所述方法包括如下步驟：S1:在平整的無機襯底表面鍍銅，形成厚度為100～300nm的銅層；S2：將聚合物溶液旋涂在步驟S1中所述銅層上，然后于60～120℃下干燥10～50min，在所述銅層上形成聚合物薄膜，獲得無機襯底銅層聚合物薄膜；所述聚合物溶液中的聚合物為聚丙烯酸降冰片酯或聚丙烯酸叔丁醇酯中的任意一種；S3：采用電化學(xué)法分離步驟S2中所述無機襯底銅層聚合物薄膜，獲得混合物，所述混合物中厚度為20～80nm的聚合物薄膜漂浮于水面；S4：將銅箔二維材料襯底加入到步驟S3中所述混合物中撈取所述聚合物薄膜，取出后干燥獲得聚合物薄膜二維材料銅箔；S5：在步驟S4中所述聚合物薄膜二維材料銅箔中銅箔的表面用刻蝕法將銅箔刻蝕除去，經(jīng)去離子水漂洗獲得聚合物薄膜二維材料的水溶液；S6：將目標(biāo)襯底加入到步驟S5中所述聚合物薄膜二維材料的水溶液中撈取所述聚合物薄膜二維材料，取出干燥后獲得聚合物薄膜二維材料目標(biāo)襯底；S7：將硅膠膜粘附在步驟S6中所述聚合物薄膜二維材料目標(biāo)襯底中聚合物薄膜的表面，然后于0.2～1.5Mpa下脫泡獲得硅膠膜聚合物薄膜二維材料目標(biāo)襯底；S8：揭去步驟S7中所述硅膠膜聚合物薄膜二維材料目標(biāo)襯底中硅膠膜聚合物薄膜即可獲得二維材料目標(biāo)襯底。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院;重慶大學(xué)，其通訊地址為：400714 重慶市北碚區(qū)方正大道266號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。