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龍圖騰網恭喜江西兆馳半導體有限公司申請的專利發光二極管外延片及其制備方法、LED獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119230676B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411746770.0，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權發光二極管外延片及其制備方法、LED是由舒俊;高虹;鄭文杰;張彩霞;劉春楊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2024-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本發光二極管外延片及其制備方法、LED在說明書摘要公布了：本發明涉及光電技術領域，公開了一種發光二極管外延片及其制備方法、LED，所述發光二極管外延片包括襯底，所述襯底上依次設有緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層；所述多量子阱層包括依次層疊的高勢壘多量子阱層、中勢壘多量子阱層、低勢壘多量子阱層、低勢壘末多量子阱層。本發明提供的發光二極管外延片能夠提高P型半導體材料的空穴注入效率，改善多量子阱層中空穴濃度不足的現象，提高多量子阱層中電子空穴濃度的匹配度，以提高多量子阱層中的輻射復合效率，并最終實現提高LED器件的亮度和光效。

本發明授權發光二極管外延片及其制備方法、LED在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管外延片，其特征在于，包括襯底，所述襯底上依次設有緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、應力釋放層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層；所述多量子阱層包括依次層疊的高勢壘多量子阱層、中勢壘多量子阱層、低勢壘多量子阱層、低勢壘末多量子阱層；所述高勢壘多量子阱層包括交替層疊的第一InGaN層和高勢壘量子壘層，所述高勢壘量子壘層包括依次層疊的第一GaN層、第一AlGaN層、第二GaN層；所述中勢壘多量子阱層包括交替層疊的第二InGaN層和中勢壘量子壘層，所述中勢壘量子壘層包括依次層疊的第三GaN層、第二AlGaN層、第四GaN層；所述低勢壘多量子阱層包括交替層疊的第三InGaN層和GaN量子壘層；所述低勢壘末多量子阱層包括交替層疊的第四InGaN層和低勢壘量子壘層，所述低勢壘量子壘層包括依次層疊的第五GaN層、AlInGaN層、第六GaN層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。