買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體元件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113410310B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110743295.1，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體元件的制造方法是由羅威揚;程潼文;詹佳玲;林木滄設計研發完成，并于2016-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體元件的制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體元件的制造方法。方法包含形成虛設柵極于半導體鰭片的通道部位上方；沉積氧化物層于虛設柵極以及半導體鰭片上方；沉積氮硅化物層于氧化物層上方；摻雜氮硅化物層以于氮硅化物層中形成富摻雜層；將富摻雜層中的摻雜物撞擊至氧化物層中；將富摻雜層中的摻雜物撞擊至氧化物層中之后，形成多個輕摻雜漏極區域于半導體鰭片的未覆蓋部位；圖案化氮硅化物層以及氧化物層以形成一對柵極間隙壁于虛設柵極的相對的兩側壁上，其中輕摻雜漏極區域中的一者的一頂部位所具有的摻雜濃度是高于該對柵極間隙壁中的一者的底部位所具有的摻雜濃度，輕摻雜漏極區域中的該者的底部位所具有的摻雜濃度是低于該對柵極間隙壁中的該者的底部位所具有的摻雜濃度。

本發明授權半導體元件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，包含：形成一虛設柵極于一半導體鰭片的一通道部位上方，其中該半導體鰭片的多個未覆蓋部位自該虛設柵極暴露出；沉積一氧化物層于該虛設柵極以及該半導體鰭片上方；沉積一氮硅化物層于該氧化物層上方；執行一等離子離子輔助沉積制程以沉積一富摻雜層于該氮硅化物層上；將該富摻雜層中的一摻雜物撞擊至該氮硅化物層以及該氧化物層中；將該富摻雜層中的該摻雜物撞擊至該氮硅化物層以及該氧化物層中之后，形成多個輕摻雜漏極區域于該半導體鰭片的該些未覆蓋部位；圖案化該氮硅化物層以及該氧化物層以形成一對柵極間隙壁于該虛設柵極的相對的兩側壁上，其中該些輕摻雜漏極區域中的一者的一頂部位所具有的一摻雜濃度是高于該對柵極間隙壁中的一者的一底部位所具有的一摻雜濃度，該些輕摻雜漏極區域中的該者的一底部位所具有的一摻雜濃度是低于該對柵極間隙壁中的該者的該底部位所具有的該摻雜濃度；移除該半導體鰭片中未被該虛設柵極以及該對柵極間隙壁覆蓋的多個部位以于該半導體鰭片中形成多個凹陷部位，其中該些凹陷部位位于該虛設柵極的相對兩側；磊晶形成多個磊晶結構于該半導體鰭片的該些凹陷部位上；移除該虛設柵極以形成一開口于該對柵極間隙壁之間；以及形成一柵極結構于該對柵極間隙壁之間的該開口。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。