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龍圖騰網(wǎng)恭喜西安電子科技大學(xué)廣州研究院申請的專利隧穿柵HEMT器件、制備方法、芯片以及電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119300401B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411795296.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)隧穿柵HEMT器件、制備方法、芯片以及電子設(shè)備是由李祥東;韓占飛;張進(jìn)成;郝躍設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本隧穿柵HEMT器件、制備方法、芯片以及電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請公開了一種隧穿柵HEMT器件、制備方法、芯片以及電子設(shè)備，該器件結(jié)構(gòu)包括：襯底層，依次位于所述襯底層上的過渡層、緩沖層、溝道層和勢壘層；p?GaN層，位于勢壘層上；隔離結(jié)構(gòu)，位于所述HEMT器件的側(cè)壁，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)貫穿于所述勢壘層和所述溝道層，且位于所述緩沖層上；鈍化層，位于所述p?GaN層的側(cè)壁且在所述勢壘層上；隧穿層，位于所述鈍化層的柵極開孔區(qū)域的底部和側(cè)部；柵極，貫穿于所述鈍化層，且位于所述隧穿層上；源極和漏極，分別位于所述p?GaN層的不同側(cè)，其中，源極和漏極分別貫穿于所述鈍化層，且位于所述勢壘層上。相對于相關(guān)技術(shù)而言，本申請通過在柵極開槽內(nèi)部沉積一層薄介質(zhì)作為隧穿層，有效提高HEMT器件柵極擊穿電壓。

本發(fā)明授權(quán)隧穿柵HEMT器件、制備方法、芯片以及電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種隧穿柵HEMT器件，其特征在于，包括：襯底層，依次位于所述襯底層上的過渡層、緩沖層、溝道層和勢壘層；p-GaN層，位于所述勢壘層上；隔離結(jié)構(gòu)，位于所述HEMT器件的側(cè)壁，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)貫穿于所述勢壘層和所述溝道層，且位于所述緩沖層上；鈍化層，位于所述p-GaN層的側(cè)壁且在所述勢壘層上，其中，所述鈍化層的厚度范圍為50nm-400nm，所述鈍化層包括：第一鈍化子層和第二鈍化子層，所述第一鈍化子層位于所述第二鈍化子層的下方，所述第一鈍化子層材料包括：AlN、SiON、SiN、AlON、Al2O3、HfO2、ZrO2和Y2O3中的至少一種，所述第二鈍化子層材料包括：SiO2、SiN和SiON中的至少一種；隧穿層，位于所述鈍化層的柵極開孔區(qū)域的底部和側(cè)部，其中，所述隧穿層的厚度范圍為0.5nm-5nm，所述隧穿層的材料包括：SiN、SiON、AlN、AlON和Al2O3中的至少一種；柵極，貫穿于所述鈍化層，且位于所述隧穿層上；源極，位于所述p-GaN層的一側(cè)，其中，所述源極貫穿于所述鈍化層，且位于所述勢壘層上；漏極，位于所述p-GaN層的另一側(cè)，其中，所述漏極貫穿于所述鈍化層，且位于所述勢壘層上。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西安電子科技大學(xué)廣州研究院，其通訊地址為：510000 廣東省廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識城知明路83號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。