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龍圖騰網恭喜象朵創芯微電子(蘇州)有限公司申請的專利一種薄膜體聲波諧振器芯片結構以及制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119276239B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411804273.1，技術領域涉及：H03H9/17；該發明授權一種薄膜體聲波諧振器芯片結構以及制造方法是由袁園設計研發完成，并于2024-12-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種薄膜體聲波諧振器芯片結構以及制造方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種薄膜體聲波諧振器芯片結構以及制造方法。該結構包括：第一襯底和構成諧振器單元的壓電層、第一金屬層和第四金屬層；第一金屬層被隔離槽分為第一金屬層第一電極部、第一金屬層第二電極連接部和第一金屬層諧振器周邊部；第二金屬層包括第二金屬層第一部、第二金屬層第二部和第二金屬層第三部；第三金屬層第一部位于第二金屬層第一部遠離第一金屬層的一側；第三金屬層第二部位于第二金屬層第二部遠離第一金屬層的一側；第三金屬層第三部位于第二金屬層第三部遠離第一金屬層的一側；第二金屬層和第三金屬層的高度之和決定第一襯底與諧振器單元之間的第一空腔的高度。

本發明授權一種薄膜體聲波諧振器芯片結構以及制造方法在權利要求書中公布了：1.一種薄膜體聲波諧振器芯片結構，其特征在于，包括：第一襯底；壓電層，位于所述第一襯底的一側；所述壓電層包括相對設置的上表面和下表面；所述壓電層的下表面為朝向所述第一襯底的表面；第一金屬層，位于所述壓電層的下表面，所述第一金屬層設置有隔離槽，所述隔離槽的底部暴露出所述壓電層，所述第一金屬層被所述隔離槽分為第一金屬層第一電極部、第一金屬層第二電極連接部和第一金屬層諧振器周邊部，所述第一金屬層諧振器周邊部封閉環繞所述第一金屬層第一電極部和所述第一金屬層第二電極連接部；第一鈍化層，位于所述第一金屬層遠離所述壓電層的一側；所述隔離槽還貫穿所述第一鈍化層；所述第一鈍化層設置接觸孔，所述接觸孔包括接觸孔第一部、接觸孔第二部和接觸孔第三部，所述接觸孔第一部的底部暴露出所述第一金屬層第一電極部，所述接觸孔第二部的底部暴露出所述第一金屬層第二電極連接部，所述接觸孔第三部的底部暴露出所述第一金屬層諧振器周邊部；第二金屬層，位于所述第一鈍化層遠離所述第一金屬層的一側，包括第二金屬層第一部、第二金屬層第二部和第二金屬層第三部；所述第二金屬層第一部通過所述接觸孔第一部和所述第一金屬層第一電極部相連；所述第二金屬層第二部通過所述接觸孔第二部和所述第一金屬層第二電極連接部相連；所述第二金屬層第三部通過所述接觸孔第三部與所述第一金屬層諧振器周邊部相連；第三金屬層，位于所述第一襯底的一側，包括第三金屬層第一部、第三金屬層第二部和第三金屬層第三部；所述第三金屬層第一部位于所述第二金屬層第一部遠離所述第一金屬層的一側；所述第三金屬層第二部位于所述第二金屬層第二部遠離所述第一金屬層的一側；所述第三金屬層第三部位于所述第二金屬層第三部遠離所述第一金屬層的一側；第四金屬層，位于所述壓電層的上表面；所述壓電層、所述第一金屬層和所述第四金屬層構成諧振器單元，所述第二金屬層和所述第三金屬層的高度之和決定所述第一襯底與所述諧振器單元之間的第一空腔的高度。

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