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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種光-熱隔離的共封裝結構制備方法和共封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119342932B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411886622.9，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種光-熱隔離的共封裝結構制備方法和共封裝結構是由陳浪;王瑋;楊舟設計研發完成，并于2024-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種光-熱隔離的共封裝結構制備方法和共封裝結構在說明書摘要公布了：本申請提供一種光?熱隔離的共封裝結構制備方法和共封裝結構，涉及半導體技術領域，包括：獲取封裝所需的第一轉接板；確定熱敏感芯片待放置在第一轉接板上的第一位置，在第一位置的四周制備熱隔離結構，熱隔離結構包括：填充聚對二甲苯的第一通孔結構和第二通孔結構，第一通孔結構與第二通孔結構之間的距離小于第一距離；在第一轉接板的第一表面上定義第一互連金屬電極和第二互連金屬電極；將光隔離芯片埋入第一轉接板中，并將光隔離芯片的電極連接至第一表面上的所述第一互連金屬電極；將熱敏感芯片固定在第一位置，通過打線工藝將熱敏感芯片連接至第一表面上的第二互連金屬電極，得到熱敏感芯片?光隔離芯片共封裝結構。

本發明授權一種光-熱隔離的共封裝結構制備方法和共封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種光-熱隔離的共封裝結構制備方法，其特征在于，所述方法包括：獲取封裝所需的第一轉接板；確定熱敏感芯片待放置在所述第一轉接板上的第一位置，在所述第一位置的四周制備熱隔離結構，所述熱隔離結構包括：填充聚對二甲苯的第一通孔結構和第二通孔結構，所述第一通孔結構與所述第二通孔結構之間的距離小于第一距離；所述熱隔離結構圍繞成環狀，所述第一通孔結構構成內環，所述第二通孔結構構成外環；通過光刻-剝離的方式在所述第一轉接板的第一表面上定義第一互連金屬電極和第二互連金屬電極；將光隔離芯片埋入所述第一轉接板的芯片填埋槽中，并將所述光隔離芯片的電極連接至所述第一表面上的所述第一互連金屬電極；將所述熱敏感芯片固定在所述第一表面的所述第一位置上，通過打線工藝將所述熱敏感芯片連接至所述第一表面上的所述第二互連金屬電極，得到熱敏感芯片-光隔離芯片共封裝結構；其中，所述光隔離芯片為光發射器件VCSEL，用于發出激光信號；所述熱敏感芯片為光探測器件APD，用于接收光發射器件發出的激光信號；在所述第一位置的四周制備熱隔離結構，包括：在所述第一轉接板的第一表面上所述第一位置的四周進行圖像化刻蝕，得到第一盲孔與第二盲孔，所述第一盲孔與所述第二盲孔之間的距離小于所述第一距離；所述第一盲孔和所述第二盲孔的刻蝕深度大于所述光隔離芯片的厚度；在所述第一轉接板的第一表面上沉積聚對二甲苯，使所述第一盲孔與所述第二盲孔中完全填充聚對二甲苯；通過氧等離子體刻蝕或者化學機械研磨的方式，去除所述第一表面上多余的聚對二甲苯；在所述第一轉接板背離所述第一表面一側的表面進行減薄，減薄至所述第一盲孔與所述第二盲孔中的聚對二甲苯露出，得到填充有聚對二甲苯的所述第一通孔結構和所述第二通孔結構；所述方法還包括：通過刻蝕的方式，去除所述第一通孔結構和所述第二通孔結構之間的第一轉接板材料，形成聚對二甲苯-空氣-聚對二甲苯的熱隔離層作為所述熱隔離結構。

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