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龍圖騰網恭喜上海裕芯電子科技有限公司申請的專利一種異步降壓芯片單基島封裝結構及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119400770B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411976093.1，技術領域涉及：H01L23/495；該發明授權一種異步降壓芯片單基島封裝結構及方法是由謝瀟設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種異步降壓芯片單基島封裝結構及方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種異步降壓芯片單基島封裝結構及方法，包括引線框架、單基島、集成控制電路晶圓、硅片、陶瓷貼片電容、疊層型貼片電感和肖特基二極管，通過在引線框架設置單基島和多個引腳，將單基島分為第一芯片區和第二芯片區，將集成控制電路晶圓放置在第一芯片區上，將硅片放置在第二芯片區上，將陶瓷貼片電容和疊層型貼片電感互相鍵合連接并分別放置于硅片上，將肖特基二極管放置于硅片上，減少了電路板上元件數量，減小電路板面積，降低制作成本和PCB的調試難度。

本發明授權一種異步降壓芯片單基島封裝結構及方法在權利要求書中公布了：1.一種異步降壓芯片單基島封裝結構，其特征在于，包括：引線框架（302），包括單基島（112）和多個引腳，所述單基島（112）包括第一芯片區和第二芯片區，所述引線框架（302）包括電源輸入引腳（111）、信號反饋引腳（113）、功率地引腳（114）和開關輸出引腳（115），所述電源輸入引腳（111）、信號反饋引腳（113）、功率地引腳（114）和開關輸出引腳（115）在所述引線框架（302）上的位置不固定；集成控制電路晶圓（340），置于所述第一芯片區，在所述集成控制電路晶圓（340）和所述第一芯片區之間設有第一導電介質（121），所述集成控制電路晶圓（340）包括電源輸入VIN端、開關輸出SW端、自舉BST端、功率地GND端和信號反饋FB端；硅片（201），置于所述第二芯片區，所述硅片（201）的一面設置為導電金屬層（220），另一面設置為硅面（221），所述硅面（221）和所述第二芯片區之間設有第一絕緣介質（212），所述導電金屬層（220）上還設有陶瓷貼片電容（207）、疊層型貼片電感（204）和肖特基二極管（210），所述陶瓷貼片電容（207）包括第一電容端點（206）和第二電容端點（208）；所述疊層型貼片電感（204）包括第一電感端點（203）和第二電感端點（205），所述第二電感端點（205）和第一電容端點（206）鍵合；所述肖特基二極管（210）包括頂部陽極（222）、底部陰極（224）和半導體（223），所述肖特基二極管（210）的頂部陽極（222）與所述引線框架（302）鍵合連接，所述肖特基二極管（210）的底部陰極（224）與所述硅片（201）的導電金屬層（220）通過第二導電介質（211）連接；塑封體（301），用于包裹所述引線框架（302）、集成控制電路晶圓（340）、硅片（201）、陶瓷貼片電容（207）、疊層型貼片電感（204）以及肖特基二極管（210）；所述集成控制電路晶圓（340）的電源輸入VIN端與所述引線框架（302）的電源輸入引腳（111）鍵合連接；開關輸出SW端與所述肖特基二極管（210）的底部陰極（224）以及所述疊層型貼片電感（204）的第二電感端點（205）鍵合連接；自舉BST端與所述陶瓷貼片電容（207）的第二電容端點（208）鍵合連接；信號反饋FB端與所述引線框架（302）的信號反饋引腳（113）鍵合連接；功率地GND端與所述引線框架（302）的功率地引腳（114）鍵合連接，且與所述肖特基二極管（210）的頂部陽極（222）間接導通。

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