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恭喜日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司彭勃澍獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體裝置封裝及制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN110137150B

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:201810330533.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/498;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置封裝及制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法是由彭勃澍;何政霖;李志成設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2018-04-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

半導(dǎo)體裝置封裝及制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體裝置封裝及制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法。本發(fā)明提供一種襯底,其包含具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面的第一電介質(zhì)層、鄰近于所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面且包括互連結(jié)構(gòu)的第一圖案化導(dǎo)電層以及互連元件。所述互連元件從所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面延伸到所述第一電介質(zhì)層的所述第二表面,且由所述互連結(jié)構(gòu)圍繞。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置封裝及制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種襯底,其包括:第一電介質(zhì)層,其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面;第一圖案化導(dǎo)電層,其鄰近于所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面且包括嵌入于所述第一電介質(zhì)層的互連結(jié)構(gòu)及鄰近于所述互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電跡線(xiàn);以及互連元件,其從所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面延伸到所述第一電介質(zhì)層的所述第二表面且由所述互連結(jié)構(gòu)圍繞,其中所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面、所述互連結(jié)構(gòu)的頂表面及所述互連元件的頂表面大體上共面,其中所述第一圖案化導(dǎo)電層嵌入于所述第一電介質(zhì)層中,且所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面與所述第一圖案化導(dǎo)電層的表面大體上共面,其中所述互連元件包括第一部分和第二部分,其中所述互連元件的所述第一部分包括圓柱形結(jié)構(gòu)且所述互連元件的所述第二部分包括圓錐形結(jié)構(gòu),且其中所述互連元件的所述第一部分的寬度小于所述互連元件的所述第二部分的寬度。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù),可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司,其通訊地址為:中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓加工區(qū)經(jīng)三路26號(hào)郵編81170;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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