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龍圖騰網恭喜上海南芯半導體科技股份有限公司申請的專利一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115065111B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210623940.0，技術領域涉及：H02J7/00；該發明授權一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統是由肖哲飛設計研發完成，并于2022-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統在說明書摘要公布了：本發明涉及一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統，屬于電池充放電技術領域。所述電池充放電管理系統包括：降壓電壓轉換器、開關電容電壓轉換器以及開關管轉換器；所述降壓電壓轉換器包括NMOS管M1～M4以及電感L；所述開關電容電壓轉換器包括NMOS管M7～M14；所述開關管轉換器包括NMOS管M5和M6。本發明提供的適用于單雙電芯的電池充放電管理系統，僅采用一個降壓電壓轉換器連同開關電容電壓轉換器和開關管轉換器即可實現單節電芯電池和雙節電芯電池系統的快速充電，電路結構簡單且成本更低。

本發明授權一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統在權利要求書中公布了：1.一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統，其特征在于，包括：降壓電壓轉換器、開關電容電壓轉換器以及開關管轉換器；所述降壓電壓轉換器包括NMOS管M1～M4以及電感L；所述開關電容電壓轉換器包括NMOS管M7～M14；所述開關管轉換器包括NMOS管M5和M6；所述NMOS管M1～NMOS管M14的柵極均連接控制環路輸出；所述NMOS管M1的源極連接輸入電壓VBUS，所述NMOS管M1的漏極電壓為VPMID；VPMID還同時連接至所述NMOS管M2和NMOS管M5的漏極；所述NMOS管M2的源極同時連接所述NMOS管M3的漏極和所述電感L的一端；所述NMOS管M3的源極接地；所述電感L的另一端連接所述NMOS管M4的漏極；所述NMOS管M4的漏極電壓為VSYS；所述NMOS管M4的源極連接單節電芯連接處V1X；所述NMOS管M7的源極連接所述NMOS管M8的漏極，所述NMOS管M8的源極連接所述NMOS管M9的漏極，所述NMOS管M9的源極連接所述NMOS管M10的漏極，所述NMOS管M10的源極接地；所述NMOS管M14的源極連接所述NMOS管M13的漏極，所述NMOS管M13的源極連接所述NMOS管M12的漏極，所述NMOS管M12的源極連接所述NMOS管M11的漏極，所述NMOS管M11的源極接地；所述NMOS管M8和所述NMOS管M13的源極均連接所述NMOS管M4的源極；所述NMOS管M7的漏極和所述NMOS管M14的漏極均連接所述NMOS管M6的漏極；所述NMOS管M6的漏極連接到雙節電芯連接處V2X；所述NMOS管M6的源極連接所述NMOS管M5的源極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海南芯半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區晨暉路1000號214室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。