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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海南芯半導(dǎo)體科技股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統(tǒng)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115065111B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210623940.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02J7/00；該發(fā)明授權(quán)一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統(tǒng)是由肖哲飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統(tǒng)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統(tǒng)，屬于電池充放電技術(shù)領(lǐng)域。所述電池充放電管理系統(tǒng)包括：降壓電壓轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器以及開(kāi)關(guān)管轉(zhuǎn)換器；所述降壓電壓轉(zhuǎn)換器包括NMOS管M1～M4以及電感L；所述開(kāi)關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器包括NMOS管M7～M14；所述開(kāi)關(guān)管轉(zhuǎn)換器包括NMOS管M5和M6。本發(fā)明提供的適用于單雙電芯的電池充放電管理系統(tǒng)，僅采用一個(gè)降壓電壓轉(zhuǎn)換器連同開(kāi)關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)管轉(zhuǎn)換器即可實(shí)現(xiàn)單節(jié)電芯電池和雙節(jié)電芯電池系統(tǒng)的快速充電，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且成本更低。

本發(fā)明授權(quán)一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統(tǒng)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種適用于單雙電芯的電池充放電管理系統(tǒng)，其特征在于，包括：降壓電壓轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器以及開(kāi)關(guān)管轉(zhuǎn)換器；所述降壓電壓轉(zhuǎn)換器包括NMOS管M1～M4以及電感L；所述開(kāi)關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器包括NMOS管M7～M14；所述開(kāi)關(guān)管轉(zhuǎn)換器包括NMOS管M5和M6；所述NMOS管M1～NMOS管M14的柵極均連接控制環(huán)路輸出；所述NMOS管M1的源極連接輸入電壓VBUS，所述NMOS管M1的漏極電壓為VPMID；VPMID還同時(shí)連接至所述NMOS管M2和NMOS管M5的漏極；所述NMOS管M2的源極同時(shí)連接所述NMOS管M3的漏極和所述電感L的一端；所述NMOS管M3的源極接地；所述電感L的另一端連接所述NMOS管M4的漏極；所述NMOS管M4的漏極電壓為VSYS；所述NMOS管M4的源極連接單節(jié)電芯連接處V1X；所述NMOS管M7的源極連接所述NMOS管M8的漏極，所述NMOS管M8的源極連接所述NMOS管M9的漏極，所述NMOS管M9的源極連接所述NMOS管M10的漏極，所述NMOS管M10的源極接地；所述NMOS管M14的源極連接所述NMOS管M13的漏極，所述NMOS管M13的源極連接所述NMOS管M12的漏極，所述NMOS管M12的源極連接所述NMOS管M11的漏極，所述NMOS管M11的源極接地；所述NMOS管M8和所述NMOS管M13的源極均連接所述NMOS管M4的源極；所述NMOS管M7的漏極和所述NMOS管M14的漏極均連接所述NMOS管M6的漏極；所述NMOS管M6的漏極連接到雙節(jié)電芯連接處V2X；所述NMOS管M6的源極連接所述NMOS管M5的源極。

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