恭喜北京理工大學(xué)韓若愚獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京理工大學(xué)申請的專利基于動態(tài)多重復(fù)合磁場對大氣壓等離子體射流的調(diào)控裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115279002B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210843782.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H05H1/10;該發(fā)明授權(quán)基于動態(tài)多重復(fù)合磁場對大氣壓等離子體射流的調(diào)控裝置是由韓若愚;王嫚嶼;李琛;曹雨晨;袁偉;歐陽吉庭設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-07-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本基于動態(tài)多重復(fù)合磁場對大氣壓等離子體射流的調(diào)控裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了基于動態(tài)多重復(fù)合磁場對大氣壓等離子體射流的調(diào)控裝置,采用脈沖、恒定復(fù)合磁場的方式,增加磁位型,降低發(fā)熱與損耗,有效地控制等離子體流的特性,進(jìn)一步滿足大氣壓等離子體射流在實際應(yīng)用的需求。本裝置中包括高壓電極和接地電極組成的激勵電場,對工作氣體進(jìn)行電離,得到等離子體。本裝置包括脈沖電磁線圈產(chǎn)生的瞬態(tài)強磁場和梯度磁場線圈與永磁體陣列產(chǎn)生的恒定磁場。三者共同組成了復(fù)合磁場,增加磁位型。瞬態(tài)強磁場能夠?qū)щ娏W赢a(chǎn)生更強的約束作用與更寬范圍的調(diào)制作用,還能降低發(fā)熱與損耗,有效地調(diào)控制等離子體的特性。恒定磁場用于等離子體初始磁化時,保證磁化效果,利用率較高。
本發(fā)明授權(quán)基于動態(tài)多重復(fù)合磁場對大氣壓等離子體射流的調(diào)控裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.基于動態(tài)多重復(fù)合磁場對大氣壓等離子體射流的調(diào)控裝置,其特征在于,包括介質(zhì)管1、脈沖電磁線圈2、永磁體陣列3、梯度磁場線圈4、高壓電極5和接地電極6;所述介質(zhì)管1中輸入工作氣體,電離后產(chǎn)生等離子體的氣體;永磁體陣列3緊貼環(huán)繞在介質(zhì)管1側(cè)壁;高壓電極5和接地電極6均為環(huán)形結(jié)構(gòu),纏繞在介質(zhì)管1側(cè)壁上,兩者之間的介質(zhì)管1為放電區(qū)域7;脈沖電磁線圈2環(huán)繞在永磁體陣列3外側(cè),兩個脈沖電磁線圈2分設(shè)于放電區(qū)域7的兩側(cè);梯度磁場線圈4環(huán)繞在永磁體陣列3外側(cè),其位置位于兩個脈沖電磁線圈2之間;永磁體陣列3和梯度磁場線圈4提供0.01T量級的恒定磁場,脈沖電磁線圈2提供T量級的脈沖磁場;所述恒定磁場和脈沖磁場組成復(fù)合磁場;在初步磁化等離子體時,所述脈沖磁場不開啟,所述恒定磁場開啟;在完成初步磁化,調(diào)控等離子體時,所述脈沖磁場開啟。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京理工大學(xué),其通訊地址為:100081 北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街5號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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