上海維安電子股份有限公司方勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海維安電子股份有限公司申請的專利聚合物基導電復合材料及過流保護元件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116162302B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211719461.5，技術領域涉及：C08L23/06；該發明授權聚合物基導電復合材料及過流保護元件是由方勇;夏坤;高道華;侯曉旭;潘月秀;鄧安甲;張偉設計研發完成，并于2022-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本聚合物基導電復合材料及過流保護元件在說明書摘要公布了：本發明揭示一種聚合物基導電復合材料及由其制備的過電流保護元件。所述聚合物基導電復合材料包含聚合物基材和分散于聚合物基材中的類石墨烯二維層狀結構的導電填料,聚合物基材占所述聚合物基導電復合材料的體積分數的20%?75%，導電填料占聚合物基導電復合材料的體積分數的25%?80%。所述導電填料耐候性能突出，加工性能好，且導電性能優。利用所述聚合物基導電復合材料制備的過電流保護元件包含至少兩個金屬電極箔，聚合物基導電復合材料與所述金屬電極箔之間緊密結合。由該聚合物基導電復合材料制備的過電流保護元件具有低室溫電阻率、突出的耐候性能和良好可加工性能。
本發明授權聚合物基導電復合材料及過流保護元件在權利要求書中公布了：1.一種聚合物基導電復合材料，其特征在于其包含：聚合物基材，占所述聚合物基導電復合材料的體積分數的20%～75%；具有類石墨烯二維層狀結構的導電填料，平均粒徑為0.1μm～20μm，且粒徑分布范圍為0.01μm～100μm，體積電阻率不大于1×10-3Ω.cm，占所述聚合物基導電復合材料的體積分數的25%～80%，分散于所述聚合物基材中，所述具有層狀結構的導電填料為Ti2C。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海維安電子股份有限公司，其通訊地址為：200083 上海市虹口區柳營路125號8樓806室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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