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龍圖騰網(wǎng)恭喜綿陽(yáng)炘皓新能源科技有限公司申請(qǐng)的專利一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119108438B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411227050.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F77/30；該發(fā)明授權(quán)一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池是由楊仕林;劉大偉;夏中高;吳秋宏;周珊合;劉思瑞;何振雄設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-09-03向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池，所述減反射膜結(jié)構(gòu)包括從下至上依次沉積的第一SiNx薄膜層、第二SiNx薄膜層、第三SiNx薄膜層、第四SiNx薄膜層；所述第一SiNx薄膜層的氮硅比為3.33；所述第二SiNx薄膜層的氮硅比為6.16；所述第三SiNx薄膜層的氮硅比為9.49；所述第四SiNx薄膜層的氮硅比為9.49。本發(fā)明通過(guò)改變SiNx層中的Si與N的比例，無(wú)需改變減反射膜的厚度，就能夠使得電池正面SiNx?SiONx?SiO2減反射薄膜整體折射率降低，從而增加對(duì)光的吸收，大幅增加電池的短路電流，同時(shí)由于無(wú)需調(diào)整膜層厚度，能夠保留電池的鈍化性能，使電池開(kāi)路電壓變化不大。

本發(fā)明授權(quán)一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池在權(quán)利要求書中公布了：1.一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述減反射膜結(jié)構(gòu)包括從下至上依次沉積的第一SiNx薄膜層、第二SiNx薄膜層、第三SiNx薄膜層、第四SiNx薄膜層；所述第一SiNx薄膜層的氮硅比為3.33；所述第二SiNx薄膜層的氮硅比為6.16；所述第三SiNx薄膜層的氮硅比為9.49；所述第四SiNx薄膜層的氮硅比為9.49；所述第一SiNx薄膜層的沉積工藝為：在時(shí)間為35-45s下，SiH4流量為2800sccm，NH3流量為9335sccm，1650mttor的壓力下恒壓；在時(shí)間25-35s，功率一為12500-13500W，功率二為13500-14500W，脈沖開(kāi)50ms，脈沖關(guān)600ms的條件下沉積。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人綿陽(yáng)炘皓新能源科技有限公司，其通訊地址為：621000 四川省綿陽(yáng)市安州區(qū)創(chuàng)業(yè)路9號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。