恭喜浙江同越光學科技有限公司夏菁菁獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜浙江同越光學科技有限公司申請的專利一種光學元件表面形貌特征提取識別的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119085543B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411300801.X,技術領域涉及:G01B11/30;該發明授權一種光學元件表面形貌特征提取識別的方法是由夏菁菁;齊潤澤;黃秋實設計研發完成,并于2024-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光學元件表面形貌特征提取識別的方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種光學元件表面形貌特征提取識別的方法,包括以下步驟:獲取二維表面形貌信息;局部形貌特征識別與過濾;計算二維功率譜密度函數,徑向平均獲得一維功率譜密度函數;線性擬合雙對數坐標下的一維功率譜密度函數,得到斜率p與截距q;根據擬合結果,計算表面形貌各向同性和各向異性分量的二維提取因子Ciso,Canis;逆計算表面形貌各向同性和各向異性分量的二維傅里葉變換分量和采用傅里葉逆變換得到各向同性和各向異性的二維表面形貌分量hrecons;最后評價二維形貌成分。本發明采用上述的一種光學元件表面形貌特征提取識別的方法,能夠精確提取并分離耦合的各向同性和各向異性分量,可用于化學機械拋光拋光等表面加工方法的參數分析和終點判斷。
本發明授權一種光學元件表面形貌特征提取識別的方法在權利要求書中公布了:1.一種光學元件表面形貌特征提取識別的方法,其特征在于:包括以下步驟:S1、制備不同形貌特征的表面樣品;S2、通過表面形貌檢測儀器獲取二維表面形貌高度信息;S3、局部形貌特征識別與過濾;S4、應用Welch窗口減少采樣誤差,計算二維功率譜密度PSD結果;S5、使用徑向平均的方法獲得一維功率譜密度PSDn結果;S6、線性擬合雙對數坐標下的一維功率譜密度PSDn結果,得到擬合曲線的斜率p與截距q;S7、根據一維功率譜密度PSDn結果、擬合斜率p和截距q,計算表面形貌各向同性和各向異性分量的二維提取因子Ciso,Canis;S8、逆計算表面形貌各向同性和各向異性分量的二維傅里葉變換分量和S9、采用傅里葉逆變換得到各向同性和各向異性的二維表面形貌分量hrecons;S10、對提取的各向同性和各向異性的二維形貌成分進行評價;步驟S7中,所述根據一維功率譜密度PSDn結果、擬合斜率和截距,所述各向同性和各向異性分量的二維提取因子Ciso,Canis寫作: 其中,Ciso代表分形表面的圓形斑點,Canis是在最小化各向同性表面成分后剩余的信息。
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