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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室;北京智慧能源研究院;華北電力大學申請的專利半導體封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118943094B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411438305.0，技術領域涉及：H01L23/367；該發明授權半導體封裝結構是由李文源;李哲洋;李浩;李學寶;金銳;崔翔;趙志斌設計研發完成，并于2024-10-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體封裝結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體封裝結構，包括：殼體，包括基板；第一半導體芯片，與基板連接；第一金屬連接部，連接在基板和第一半導體芯片之間并與第一半導體芯片的第一極電連接；第二金屬連接部，與第一金屬連接部間隔設置，第二金屬連接部與基板連接并與第一半導體芯片的第二極電連接；第一端子，與第一金屬連接部電連接；第二端子，與第二金屬連接部電連接；第一絕緣凸塊，設置在基板上并設置在第一金屬連接部和第二金屬連接部之間。本申請的技術方案能夠有效地解決相關技術中的半導體芯片散熱效果不佳的問題。

本發明授權半導體封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：殼體（10），包括基板（12）；第一半導體芯片（20），與所述基板（12）連接；第一金屬連接部（31），連接在所述基板（12）和所述第一半導體芯片（20）之間并與所述第一半導體芯片（20）的第一極電連接；第二金屬連接部（41），與所述第一金屬連接部（31）間隔設置，所述第二金屬連接部（41）與所述基板（12）連接并與所述第一半導體芯片（20）的第二極電連接；第一端子（32），與所述第一金屬連接部（31）電連接；第二端子（42），與所述第二金屬連接部（41）電連接；第一絕緣凸塊（51），設置在所述基板（12）上并設置在所述第一金屬連接部（31）和所述第二金屬連接部（41）之間；所述殼體（10）還包括與所述基板（12）連接的圍板（13），所述第一金屬連接部（31）和所述第二金屬連接部（41）沿第一預設方向間隔設置，所述第一絕緣凸塊（51）沿第二預設方向延伸，所述第一絕緣凸塊（51）的兩端分別與所述圍板（13）相對的兩個內表面連接，其中，所述第二預設方向與所述第一預設方向成夾角設置；所述殼體（10）的內腔內通過灌注絕緣膠體從而形成絕緣膠體部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室;北京智慧能源研究院;華北電力大學，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。