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龍圖騰網恭喜廈門市三安集成電路有限公司申請的專利雙極性晶體管結構及其制備方法和射頻放大器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119008673B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411488046.2，技術領域涉及：H10D10/00；該發明授權雙極性晶體管結構及其制備方法和射頻放大器是由陳章智;廖志明;何湘陽;魏鴻基;郭佳衢設計研發完成，并于2024-10-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本雙極性晶體管結構及其制備方法和射頻放大器在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種雙極性晶體管結構包括有源區，有源區具有：半導體層，具有第一表面，半導體層包括依次疊層的集電極層、基極層和發射極層；第一表面為發射極層背向基極層的表面；發射極臺階和發射極金屬依次設置在發射極層上；第一介質層，覆蓋發射極金屬的頂面并沿發射極金屬的側面延伸至覆蓋第一表面暴露于發射極金屬外的部分；第一介質層具有第一開口；第二介質層，覆蓋在第一介質層上；第二介質層具有與第一開口連通的第二開口；基極金屬，通過第一開口和第二開口連接至基極層；并延伸覆蓋第二介質層于第二開口相鄰的至少部分。本發明實施例提供的雙極性晶體管及其制備方法和射頻放大器能降低結電容、提升頻率特性。

本發明授權雙極性晶體管結構及其制備方法和射頻放大器在權利要求書中公布了：1.一種雙極性晶體管結構，其特征在于，包括有源區，所述有源區具有：半導體層，具有第一表面，所述半導體層包括依次疊層的集電極層、基極層和發射極層；所述第一表面為所述發射極層背向所述基極層的表面；發射極臺階，設置在所述發射極層上；發射極金屬，設置在所述發射極臺階上；第一介質層，覆蓋所述發射極金屬的頂面，并沿所述發射極金屬的側面延伸至覆蓋所述第一表面暴露于所述發射極金屬外的部分；所述第一介質層具有第一開口；第二介質層，覆蓋在所述第一介質層上；所述第二介質層具有與所述第一開口連通的第二開口；基極金屬，通過所述第一開口和所述第二開口連接至所述基極層；并延伸覆蓋所述第二介質層與所述第二開口相鄰的至少部分；其中，所述第一介質層和所述第二介質層的厚度范圍分別為200~1000埃米；所述第一開口的最大寬度為0.2~1微米，所述第二開口的最大寬度為0.2~1微米；所述第一開口與所述發射極臺階之間的最小距離為0.2~1微米。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門市三安集成電路有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區洪塘鎮民安大道753-799號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。