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龍圖騰網恭喜芯立匯科技(無錫)有限公司;芯翰(上海)半導體有限公司申請的專利一種基于DBC互連的功率半導體封裝結構的封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119092414B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411575459.4，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權一種基于DBC互連的功率半導體封裝結構的封裝方法是由劉俊峰;葛崇祜;陳建良設計研發完成，并于2024-11-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于DBC互連的功率半導體封裝結構的封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于DBC互連的功率半導體封裝結構的封裝方法，本發明采用DBC互連的方式，相較于傳統的金屬線鍵合，通過大尺寸銅柱連接上下DBC板，該方式有利于減小雜散電感，同時銅柱還能夠增強散熱效果；本發明提供的相變材料，在碳纖維表面原位生成納米氮化硅，通過原位合成，納米氮化硅可以在碳纖維表面形成均勻的涂層，避免了共混過程中出現的顆粒聚集問題，同時采用原位生成的方式，能夠在微觀結構上形成有效的熱傳導路徑，降低熱界面熱阻，增加熱傳導效率，從而提升相變材料的導熱性能；隨后采用硬脂酸對碳纖維負載納米氮化硼材料進行處理，提高了碳纖維負載納米氮化硼材料在石蠟中的分散性能，進一步提高了熱傳導的效率。

本發明授權一種基于DBC互連的功率半導體封裝結構的封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種基于DBC互連的功率半導體封裝結構的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：S1、準備下DBC板（1），將焊料（3）涂覆在下DBC板（1）上側的銅層（2）表面，并將芯片（4）貼裝在焊料（3）表面；S2、填充導熱膠（5）進行灌封固化；S3、刻蝕孔洞，并在孔洞中生長銅柱（6）；S4、去除多余導熱膠（5）和銅柱（6），磨平至與芯片（4）高度一致；S5、采用上DBC板（7）貼裝，形成上下DBC板互連結構；S6、分別在上下DBC板的銅層上連接對外端子（8）；S7、分別在上下DBC板的銅層上貼裝散熱板（9），所述散熱板（9）上填充有相變材料（10）；其中，所述相變材料（10）的制備方法如下：S01、將碳纖維加入到硫酸溶液中，加熱攪拌處理，隨后經過濾、洗滌、干燥，得到預處理碳纖維；S02、將預處理碳纖維浸入硼源溶液中，取出后經烘干處理，隨后置于氨氣氣氛中進行煅燒，得到碳纖維負載納米氮化硼材料；S03、將碳纖維負載納米氮化硼材料和硬脂酸加入到乙醇溶劑中，加熱攪拌均勻，隨后經過濾、干燥，得到復合材料；S04、將石蠟加熱至熔融，然后加入步驟S03中所得到的復合材料，攪拌均勻后冷卻，粉碎，即得到所述相變材料。

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