恭喜深圳樂成光電有限公司毛利良獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜深圳樂成光電有限公司申請的專利光柵制作方法及光柵尺獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119162557B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411669993.1,技術領域涉及:C23C14/54;該發明授權光柵制作方法及光柵尺是由毛利良設計研發完成,并于2024-11-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本光柵制作方法及光柵尺在說明書摘要公布了:本發明屬于光學元件技術領域,公開了一種光柵制作方法及光柵尺,其中光柵制作方法包括,將待光刻基材放入磁控濺射裝置真空腔室,依次用不同靶材及特定濺射功率和入射角度鍍制三層介質膜,即第一靶材以小于等于15°入射角度在基材上形成第一介質膜,第二靶材垂直于第一介質膜入射形成第二介質膜,第三靶材以小于等于15°入射角度在第二介質膜上形成第三介質膜,之后對三層介質膜光刻、蝕刻得到光柵。本發明通過不同原子在濺射時的不同入射角度鍍制形成多層結構光柵膜,有效減少膜層空洞和不均勻性,提高整體致密性和平整度,增加了機械咬合和化學鍵合的機會,增強了各層之間的結合強度,提高了光柵在不同環境下的穩定性和耐久性。
本發明授權光柵制作方法及光柵尺在權利要求書中公布了:1.一種光柵制作方法,其特征在于,包括:將待光刻基材通過夾具放入磁控濺射裝置的真空腔室內,使預設的第一靶材通過第一預定濺射功率濺射沉積在所述待光刻基材上,鍍制形成第一介質膜,其中所述第一靶材的濺射原子在所述待光刻基材上的入射角度小于或等于15°;將預設的第二靶材通過第二預定濺射功率濺射沉積在所述第一介質膜上,鍍制形成第二介質膜,其中所述第二靶材的濺射原子的入射角度垂直于所述第一介質膜;將預設的第三靶材通過第三預定濺射功率濺射沉積在所述第二介質膜上,鍍制形成第三介質膜,其中所述第三靶材的濺射原子在所述第二介質膜上的入射角度小于或等于15°;按照預設光柵圖形,對所述第一介質膜、所述第二介質膜和所述第三介質膜進行光刻,之后經蝕刻得到光柵;所述按照預設光柵圖形,對所述第一介質膜、所述第二介質膜和所述第三介質膜進行光刻的步驟,包括:在所述第三介質膜上旋涂預設的光刻膠,使所述光刻膠的厚度達到第五預設膜厚,得到涂膠樣品;所述在所述第三介質膜上旋涂預設的光刻膠的步驟,包括:將所述光刻膠滴至所述第三介質膜的中心位置形成第一光刻膠,以及在以所述第一光刻膠為中心且離心率為小于或等于0.8的橢圓上,將所述光刻膠滴至所述橢圓的周長上形成多個第二光刻膠,得到待旋轉樣品,其中,所述第一光刻膠與所述第二光刻膠相互對稱。
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