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龍圖騰網(wǎng)獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及CMOS器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119364836B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202411833439.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及CMOS器件是由王文智;劉哲儒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及CMOS器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及CMOS器件，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底；形成于基底上的金屬柵極；其中，金屬柵極的表面具有凹槽；凹槽沿金屬柵極遠(yuǎn)離基底的表面向靠近基底的方向延伸；凹槽具有底面?zhèn)让妫恍纬捎诮饘贃艠O遠(yuǎn)離基底一側(cè)的柵極接觸結(jié)構(gòu)；其中，柵極接觸結(jié)構(gòu)與凹槽的底面和側(cè)面均相接觸。通過(guò)本申請(qǐng)實(shí)施例，增大了柵極接觸結(jié)構(gòu)與金屬柵極的接觸面積，減小了柵極接觸結(jié)構(gòu)與金屬柵極之間的接觸電阻，提升了CMOS器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及CMOS器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基底；形成于所述基底上的金屬柵極；其中，所述金屬柵極的表面具有凹槽；所述凹槽沿所述金屬柵極遠(yuǎn)離所述基底的表面向靠近所述基底的方向延伸；所述凹槽具有底面和側(cè)面；所述凹槽包括間隙部和接觸部；形成于所述金屬柵極上的層間介質(zhì)層；其中，所述層間介質(zhì)層對(duì)應(yīng)所述接觸部具有介質(zhì)層開(kāi)口；在所述間隙部與所述層間介質(zhì)層之間形成空氣間隙；形成于所述金屬柵極遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的柵極接觸結(jié)構(gòu)；其中，所述柵極接觸結(jié)構(gòu)通過(guò)所述介質(zhì)層開(kāi)口與所述凹槽的接觸部的底面和側(cè)面均相接觸。

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