恭喜英諾賽科(蘇州)半導體有限公司宋亮獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜英諾賽科(蘇州)半導體有限公司申請的專利一種氮化鎵器件以及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119384004B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411959346.4，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種氮化鎵器件以及制備方法是由宋亮;陳扶;趙杰設計研發完成，并于2024-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化鎵器件以及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種氮化鎵器件以及制備方法。該氮化鎵器件包括：襯底、溝道層和復合勢壘層，復合勢壘層包括第一勢壘層、第二勢壘層、第三勢壘層和第四勢壘層；第一勢壘層位于溝道層遠離襯底的一側；第二勢壘層位于第一勢壘層遠離溝道層的一側；第二勢壘層的共價鍵的鍵能大于第一勢壘層的共價鍵的鍵能；第三勢壘層位于第二勢壘層遠離第一勢壘層的一側；第四勢壘層位于第二勢壘層遠離第一勢壘層的一側；或者，第四勢壘層位于第三勢壘層遠離第二勢壘層的一側。上述技術方案提高了溝道層一側的勢壘層的表面質量，降低了其界面缺陷，從而提升氮化鎵器件的電學性能。
本發明授權一種氮化鎵器件以及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵器件，其特征在于，包括：襯底；溝道層，位于所述襯底的一側；復合勢壘層，包括第一勢壘層、第二勢壘層、第三勢壘層和第四勢壘層；所述第一勢壘層位于所述溝道層遠離所述襯底的一側；所述第二勢壘層位于所述第一勢壘層遠離所述溝道層的一側；所述第二勢壘層的共價鍵的鍵能大于所述第一勢壘層的共價鍵的鍵能；所述第三勢壘層位于所述第二勢壘層遠離所述第一勢壘層的一側；摻雜的Ⅲ-Ⅴ族半導體層，位于所述第三勢壘層遠離所述第二勢壘層的一側；柵極，位于所述摻雜的Ⅲ-Ⅴ族半導體層遠離所述第三勢壘層的一側；所述第三勢壘層在所述襯底的垂直投影面積等于所述摻雜的Ⅲ-Ⅴ族半導體層在所述襯底的垂直投影的面積的情況下，所述第四勢壘層位于所述第二勢壘層遠離所述第一勢壘層的一側；或者，所述第三勢壘層在所述襯底的垂直投影面積等于所述第二勢壘層在所述襯底的垂直投影的面積的情況下，所述第四勢壘層位于所述第三勢壘層遠離所述第二勢壘層的一側；源極，位于所述第四勢壘層遠離所述溝道層的一側；漏極，位于所述第四勢壘層遠離所述溝道層的一側。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英諾賽科(蘇州)半導體有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳江區汾湖高新開發區新黎路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號