恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司卓紅標獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利熔絲結構的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114023693B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111186004.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權熔絲結構的制作方法是由卓紅標;劉春玲設計研發完成，并于2021-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本熔絲結構的制作方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種熔絲結構的制作方法，涉及半導體制造領域。該熔絲結構的制作方法包括在介質層上方的金屬層中形成熔斷部，所述金屬層和所述介質層之間設置有阻擋層；形成鈍化層；通過光刻和刻蝕工藝，在所述熔斷部兩側的介質層中形成凹槽；通過灰化工藝和濕法清洗工藝去除殘余的光刻膠，灰化過程中通入CF4氣體；光刻膠去除后，位于所述熔斷部下方的阻擋層的寬度小于所述熔斷部的寬度；解決了目前熔絲結構熔斷耗時長；達到了在不增加工藝步驟的情況下，提升熔絲結構熔斷效率的效果。
本發明授權熔絲結構的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種熔絲結構的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在介質層上方的金屬層中形成熔斷部，所述金屬層和所述介質層之間設置有阻擋層；形成鈍化層；通過光刻和刻蝕工藝，在所述熔斷部兩側的介質層中形成凹槽；通過灰化工藝和濕法清洗工藝去除殘余的光刻膠，灰化過程中通入CF4氣體；其中，光刻膠去除后，位于所述熔斷部下方的阻擋層的寬度小于所述熔斷部的寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江高科技園區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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