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龍圖騰網恭喜飛锃半導體(上海)有限公司;創能動力科技有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114023809B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111325824.2，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體結構及其形成方法是由張永杰;李浩南;周永昌;黃曉輝;董琪琪設計研發完成，并于2021-11-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請技術方案提供一種半導體結構及其形成方法，其中所述半導體結構包括：襯底，所述襯底包括第一外延層；摻雜柱，分立的位于所述第一外延層中；第一JFET區，位于部分所述摻雜柱上；第二JFET區，位于相鄰所述摻雜柱之間的部分所述第一外延層上；阱區，位于所述第一JFET區和所述第二JFET區上；源區，自所述阱區表面延伸至所述阱區中；摻雜區，位于相鄰所述源區之間且延伸至所述摻雜柱的表面；柵極結構，位于所述源區和所述阱區中并延伸至所述第一JFET區和所述第二JFET區之間，且所述柵極結構的整個或部分底部與所述摻雜柱鄰接。本申請技術方案可以降低柵極結構底部的電場，減少柵漏電荷以及降低襯底電阻。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：襯底，所述襯底包括第一外延層；摻雜柱，分立的位于所述第一外延層中，且與所述第一外延層的表面共面，其中所述摻雜柱的厚度小于或等于所述第一外延層的厚度，且厚度差為0μm～11μm，所述摻雜柱的摻雜類型和所述第一外延層的摻雜類型不同；第一JFET區，位于部分所述摻雜柱上；第二JFET區，位于相鄰所述摻雜柱之間的部分所述第一外延層上；阱區，位于所述第一JFET區和所述第二JFET區上；源區，自所述阱區表面延伸至所述阱區中；摻雜區，位于相鄰所述源區之間且延伸至所述摻雜柱的表面；柵極結構，位于所述源區和所述阱區中并延伸至所述第一JFET區和所述第二JFET區之間，且所述柵極結構的整個或部分底部與所述摻雜柱鄰接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人飛锃半導體(上海)有限公司;創能動力科技有限公司，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區自由貿易試驗區臨港新片區環湖西二路888號C樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。