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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)院微電子研究所申請的專利多疊層結(jié)構(gòu)的原子層刻蝕工藝仿真方法及裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114638107B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210279430.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/20；該發(fā)明授權(quán)多疊層結(jié)構(gòu)的原子層刻蝕工藝仿真方法及裝置是由嚴(yán)琦;韋亞一;陳睿;龔文華;邵花;李晨設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-03-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多疊層結(jié)構(gòu)的原子層刻蝕工藝仿真方法及裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種多疊層結(jié)構(gòu)的原子層刻蝕工藝仿真方法及裝置，包括：定義待刻蝕對象的結(jié)構(gòu)信息，待刻蝕對象包括硅襯底及其上方的多個由鍺化硅層硅層依次堆疊的疊層；定義鍺化硅層和硅層各自的刻蝕函數(shù)；定義不同深度的左側(cè)發(fā)射源和右側(cè)發(fā)射源的位置坐標(biāo)和入射角范圍；根據(jù)刻蝕時間和待刻蝕對象的結(jié)構(gòu)信息確定要入射的刻蝕粒子的個數(shù)；向待刻蝕對象依次入射刻蝕粒子直至刻蝕粒子耗盡，對于每個刻蝕粒子，執(zhí)行以下操作：計算所述待刻蝕對象上接收所述刻蝕粒子的轟擊位置，判斷所述轟擊位置的原子特性，根據(jù)原子特性選擇不同的刻蝕函數(shù)，當(dāng)滿足刻蝕函數(shù)的去除條件時，將所述轟擊位置的原子去除，最終得到基本刻蝕輪廓。

本發(fā)明授權(quán)多疊層結(jié)構(gòu)的原子層刻蝕工藝仿真方法及裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多疊層結(jié)構(gòu)的原子層刻蝕工藝仿真方法，其特征在于，包括：定義待刻蝕對象的結(jié)構(gòu)信息，所述待刻蝕對象包括硅襯底及其上方的多個由鍺化硅層硅層依次堆疊的疊層；定義鍺化硅層和硅層各自的刻蝕函數(shù)；定義不同深度的左側(cè)發(fā)射源和右側(cè)發(fā)射源的位置坐標(biāo)和入射角范圍，所述左側(cè)發(fā)射源和所述右側(cè)發(fā)射源各自用于從左側(cè)、右側(cè)入射刻蝕粒子；根據(jù)刻蝕時間和待刻蝕對象的結(jié)構(gòu)信息確定要入射的刻蝕粒子的個數(shù)；向所述待刻蝕對象依次入射刻蝕粒子直至刻蝕粒子耗盡，對于每個刻蝕粒子，執(zhí)行以下操作：計算所述待刻蝕對象上接收所述刻蝕粒子的轟擊位置，判斷所述轟擊位置的原子特性，根據(jù)原子特性選擇不同的刻蝕函數(shù)，當(dāng)滿足刻蝕函數(shù)的去除條件時，將所述轟擊位置的原子去除，最終得到基本刻蝕輪廓。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。