中國科學院近代物理研究所馮永春獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院近代物理研究所申請的專利一種防濺射法拉第筒及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114779311B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210457992.5，技術領域涉及：G01T1/29；該發明授權一種防濺射法拉第筒及其制備方法是由馮永春;毛瑞士;徐治國;胡正國;尹炎;康新才;趙鐵成設計研發完成，并于2022-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種防濺射法拉第筒及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種防濺射法拉第筒，包括偏壓電極、收集電極、光闌和屏蔽筒。所述偏壓電極形成為兩端開口的筒狀，所述偏壓電極的頂部形成有向外延伸的第一凸緣。所述收集電極形成為筒狀，所述收集電極的頂端開口，底端封閉，所述光闌為筒狀，所述光闌套設在所述偏壓電極的外側，所述偏壓電極通過所述第一凸緣固定在所述光闌的內壁。所述屏蔽筒的底端封閉，所述屏蔽筒套設在所述收集電極的外側，所述收集電極通過所述第二電極固定在所述屏蔽筒的內壁，所述屏蔽筒的底部與所述收集電極的底端隔開。所述偏壓電極和收集電極之間以及與大地之間通過真空絕緣，僅有的一小部分陶瓷遠離束流本身和濺射束流路徑，因而能有效解決陶瓷污染問題。
本發明授權一種防濺射法拉第筒及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種防濺射法拉第筒，其特征在于，包括：偏壓電極，所述偏壓電極形成為兩端開口的筒狀，所述偏壓電極的頂部形成有向外延伸的第一凸緣；收集電極，所述收集電極形成為筒狀，所述收集電極的頂端開口，底端封閉，所述收集電極的底部形成有向外延伸的第二凸緣，所述收集電極位于所述偏壓電極的正下方，所述收集電極的頂端與所述偏壓電極的底端之間隔開形成真空絕緣層；光闌，所述光闌為筒狀，所述光闌套設在所述偏壓電極的外側，所述偏壓電極通過所述第一凸緣固定在所述光闌的內壁；支撐電極，將所述偏壓電極通過第一陶瓷和第一螺釘固定安裝在所述支撐電極的頂部；屏蔽筒，所述屏蔽筒的底端封閉，所述屏蔽筒套設在所述收集電極的外側，所述收集電極通過所述第二凸緣固定在所述屏蔽筒的內壁，所述屏蔽筒的底部與所述收集電極的底端隔開；所述偏壓電極和收集電極均為無氧銅材料制成；所述支撐電極、光闌和屏蔽筒均為不銹鋼材料制成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院近代物理研究所，其通訊地址為：730000 甘肅省蘭州市南昌路509號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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