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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所申請(qǐng)的專利一種防濺射法拉第筒及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114779311B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210457992.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01T1/29；該發(fā)明授權(quán)一種防濺射法拉第筒及其制備方法是由馮永春;毛瑞士;徐治國(guó);胡正國(guó);尹炎;康新才;趙鐵成設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種防濺射法拉第筒及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種防濺射法拉第筒，包括偏壓電極、收集電極、光闌和屏蔽筒。所述偏壓電極形成為兩端開(kāi)口的筒狀，所述偏壓電極的頂部形成有向外延伸的第一凸緣。所述收集電極形成為筒狀，所述收集電極的頂端開(kāi)口，底端封閉，所述光闌為筒狀，所述光闌套設(shè)在所述偏壓電極的外側(cè)，所述偏壓電極通過(guò)所述第一凸緣固定在所述光闌的內(nèi)壁。所述屏蔽筒的底端封閉，所述屏蔽筒套設(shè)在所述收集電極的外側(cè)，所述收集電極通過(guò)所述第二電極固定在所述屏蔽筒的內(nèi)壁，所述屏蔽筒的底部與所述收集電極的底端隔開(kāi)。所述偏壓電極和收集電極之間以及與大地之間通過(guò)真空絕緣，僅有的一小部分陶瓷遠(yuǎn)離束流本身和濺射束流路徑，因而能有效解決陶瓷污染問(wèn)題。

本發(fā)明授權(quán)一種防濺射法拉第筒及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種防濺射法拉第筒，其特征在于，包括：偏壓電極，所述偏壓電極形成為兩端開(kāi)口的筒狀，所述偏壓電極的頂部形成有向外延伸的第一凸緣；收集電極，所述收集電極形成為筒狀，所述收集電極的頂端開(kāi)口，底端封閉，所述收集電極的底部形成有向外延伸的第二凸緣，所述收集電極位于所述偏壓電極的正下方，所述收集電極的頂端與所述偏壓電極的底端之間隔開(kāi)形成真空絕緣層；光闌，所述光闌為筒狀，所述光闌套設(shè)在所述偏壓電極的外側(cè)，所述偏壓電極通過(guò)所述第一凸緣固定在所述光闌的內(nèi)壁；支撐電極，將所述偏壓電極通過(guò)第一陶瓷和第一螺釘固定安裝在所述支撐電極的頂部；屏蔽筒，所述屏蔽筒的底端封閉，所述屏蔽筒套設(shè)在所述收集電極的外側(cè)，所述收集電極通過(guò)所述第二凸緣固定在所述屏蔽筒的內(nèi)壁，所述屏蔽筒的底部與所述收集電極的底端隔開(kāi)；所述偏壓電極和收集電極均為無(wú)氧銅材料制成；所述支撐電極、光闌和屏蔽筒均為不銹鋼材料制成。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所，其通訊地址為：730000 甘肅省蘭州市南昌路509號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。