恭喜中國科學(xué)院電工研究所董浩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)院電工研究所申請的專利一種無接頭高溫超導(dǎo)磁體及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115064336B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210844007.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01F6/06;該發(fā)明授權(quán)一種無接頭高溫超導(dǎo)磁體及其制備方法是由董浩;丁發(fā)柱;古宏偉;黃大興;王鍇設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-07-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種無接頭高溫超導(dǎo)磁體及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種無接頭高溫超導(dǎo)磁體,涉及高溫超導(dǎo)磁體制備領(lǐng)域,該無接頭高溫超導(dǎo)磁體包括:磁體骨架和至少一組超導(dǎo)線圈組;超導(dǎo)線圈組包括第一雙餅線圈和第二雙餅線圈;兩個雙餅線圈側(cè)位放置;超導(dǎo)線圈組采用無接頭繞制法繞制而成;無接頭繞制法為:將目標(biāo)帶材的中部上分離帶材、中部下分離帶材均相切放置一個圓環(huán)骨架,將目標(biāo)帶材的左側(cè)端部從中間孔隙穿過并回到原來的位置,使中部上分離帶材纏繞在對應(yīng)相切的圓環(huán)骨架上形成第一雙餅線圈,使中部下分離帶材纏繞在對應(yīng)相切的另一個圓環(huán)骨架上形成第二雙餅線圈,工作時,向第一雙餅線圈和第二雙餅線圈中的每個線圈以并聯(lián)的方式通入勵磁電流。本發(fā)明避免了超導(dǎo)磁體接頭,能實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)運行。
本發(fā)明授權(quán)一種無接頭高溫超導(dǎo)磁體及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種無接頭高溫超導(dǎo)磁體,其特征在于,包括:磁體骨架和至少一組超導(dǎo)線圈組;所述超導(dǎo)線圈組包括第一雙餅線圈和第二雙餅線圈;所述第一雙餅線圈和所述第二雙餅線圈側(cè)位放置;所述第一雙餅線圈和所述第二雙餅線圈分別套設(shè)在一個所述磁體骨架上;一個所述磁體骨架至少包括兩個圓環(huán)骨架;所述超導(dǎo)線圈組采用無接頭繞制法繞制而成;所述無接頭繞制法為:確定目標(biāo)帶材;所述目標(biāo)帶材包括左側(cè)端部、右側(cè)端部、中部上分離帶材和中部下分離帶材;所述目標(biāo)帶材是將超導(dǎo)帶材除左側(cè)端部和右側(cè)端部之外的部分沿中線分離得到的;所述中部上分離帶材和所述中部下分離帶材之間的縫隙為分離縫隙;將所述磁體骨架中的一個圓環(huán)骨架與所述中部上分離帶材相切放置,將所述磁體骨架中的另一個圓環(huán)骨架與所述中部下分離帶材相切放置,將所述目標(biāo)帶材的左側(cè)端部從中間孔隙穿過并回到原來的位置,使所述中部上分離帶材纏繞在對應(yīng)相切的圓環(huán)骨架上形成第一雙餅線圈,使所述中部下分離帶材纏繞在對應(yīng)相切的另一個圓環(huán)骨架上形成第二雙餅線圈;所述中間孔隙為所述磁體骨架與所述右側(cè)端部之間的分離縫隙;工作時,向所述第一雙餅線圈和所述第二雙餅線圈中的每個線圈以并聯(lián)的方式通入勵磁電流。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國科學(xué)院電工研究所,其通訊地址為:100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村北二條6號中科院電工所;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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