恭喜浙江芯科半導體有限公司鐘綿增獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜浙江芯科半導體有限公司申請的專利鉍碲硫半導體、制備方法及光電器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115537930B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211203945.4，技術領域涉及：C30B29/48；該發明授權鉍碲硫半導體、制備方法及光電器件是由鐘綿增;張芬;夏慶林;束傳存;何軍設計研發完成，并于2022-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本鉍碲硫半導體、制備方法及光電器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種鉍碲硫半導體、制備方法及光電器件。鉍碲硫半導體為晶體，鉍碲硫半導體的化學結構式為BixTeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3。上述的鉍碲硫半導體中，Bi2Te3半導體具有正交晶系結構，通過將S摻雜到Bi2Te3中，生長出BixTeySz半導體。相比Bi2Te3半導體，BixTeySz半導體的能帶結構得到優化和豐富，因此，以其構建的光電器件暗電流較低，探測范圍更廣，有助于實現光電器件的高性能。
本發明授權鉍碲硫半導體、制備方法及光電器件在權利要求書中公布了：1.一種鉍碲硫半導體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：提供鉍粉、碲粉和硫粉；所述鉍粉、碲粉和硫粉的比例滿足BixTeySz的化學結構式要求，其中，x=2；y=0.6；z=2.4；采用化學氣相輸運直接生長鉍碲硫半導體；所述采用化學氣相輸運直接生長所述鉍碲硫半導體的步驟包括：所述鉍粉、所述碲粉、所述硫粉和輸送介質混合密閉在石英管中，所述石英管內為真空氛圍；所述石英管放置于雙溫區管式爐中，將第一溫區設定為540~580℃，第二溫區的溫度設定為480~520℃，保持1~7天；然后以0.6~1.0℃min的速率冷卻至200~300℃，再自然冷卻；其中，所述第一溫區和所述第二溫區的溫差為50~100℃；所述石英管的溫度達到室溫時取出樣品，得到鉍碲硫半導體。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江芯科半導體有限公司，其通訊地址為：311400 浙江省杭州市富陽區春江街道江南路68號第23幢706室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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