恭喜旺宏電子股份有限公司江昱維獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜旺宏電子股份有限公司申請的專利通孔接觸結構、存儲器裝置及形成半導體結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111816606B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910337951.0，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權通孔接觸結構、存儲器裝置及形成半導體結構的方法是由江昱維;張國彬;胡志瑋設計研發完成，并于2019-04-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本通孔接觸結構、存儲器裝置及形成半導體結構的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種通孔接觸結構、存儲器裝置及形成半導體結構的方法，該形成半導體結構的方法包含以下步驟：形成具有第一穿孔的第一介電層于前驅襯底上，第一穿孔貫穿第一介電層；填充犧牲材料于第一穿孔中；形成具有第二穿孔的第二介電層于第一介電層上方，第二穿孔露出第一穿孔中的犧牲材料，其中第二穿孔具有底部寬度，底部寬度小于第一穿孔的頂部寬度；在形成具有第二穿孔的第二介電層后，更換犧牲材料；形成勢壘層內襯于第一穿孔的側壁及第二穿孔的側壁；以及形成導電材料于第一及第二穿孔內。
本發明授權通孔接觸結構、存儲器裝置及形成半導體結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體結構的方法，包含：形成具有一第一穿孔的一第一介電層于一前驅襯底上，該第一穿孔貫穿該第一介電層；填充一犧牲材料于該第一穿孔中；形成具有一第二穿孔的一第二介電層于該第一介電層上方，該第二穿孔露出該第一穿孔中的該犧牲材料，其中該第二穿孔具有一底部寬度，該底部寬度小于該第一穿孔的一頂部寬度，且該第一穿孔與該第二穿孔于垂直該前驅襯底的一方向上至少部分重疊；形成具有一第二接觸孔的一層間介電層于該第二介電層上方，該第二接觸孔與該第二穿孔相連通；在形成具有該第二穿孔的該第二介電層后，更換該犧牲材料；形成一勢壘層內襯于該第一穿孔的一側壁、該第二穿孔的一側壁及該第二接觸孔的一側壁；以及形成一導電材料于該第一及該第二穿孔內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人旺宏電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區力行路16號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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