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龍圖騰網(wǎng)恭喜無錫芯光互連技術(shù)研究院有限公司申請的專利高效耦合的硅基異質(zhì)集成半導(dǎo)體光放大器結(jié)構(gòu)及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN117913665B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202311461857.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/50；該發(fā)明授權(quán)高效耦合的硅基異質(zhì)集成半導(dǎo)體光放大器結(jié)構(gòu)及制備方法是由蔣成濤;郝沁汾;段煥利設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-11-06向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本高效耦合的硅基異質(zhì)集成半導(dǎo)體光放大器結(jié)構(gòu)及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了高效耦合的硅基異質(zhì)集成半導(dǎo)體光放大器結(jié)構(gòu)及制備方法，其中，器件結(jié)構(gòu)包括：襯底層，包括硅襯底層和埋氧SIO2層；硅波導(dǎo)，位于襯底層之上，包括第一硅波導(dǎo)部分和第二硅波導(dǎo)部分，沿預(yù)設(shè)方向排布，第一硅波導(dǎo)部分和第二硅波導(dǎo)部分之間間隔預(yù)設(shè)距離；半導(dǎo)體光放大器，底部設(shè)置有預(yù)設(shè)高度的卡槽結(jié)構(gòu)，以通過卡槽結(jié)構(gòu)兩側(cè)的槽壁使半導(dǎo)體光放大器卡扣在所述第一波導(dǎo)部分、第二波導(dǎo)部分及二者之間的間隙的上方；卡槽的寬度不低于硅波導(dǎo)的寬度，卡槽的高度不低于硅波導(dǎo)的厚度；覆蓋層，位于半導(dǎo)體光放大器之上，用于集成SOA和硅波導(dǎo)，并保護(hù)半導(dǎo)體光放大器免受大氣中水、氧的侵襲。本方案，集成工藝較為簡單，且不存在浪費(fèi)SOA外延材料的現(xiàn)象。

本發(fā)明授權(quán)高效耦合的硅基異質(zhì)集成半導(dǎo)體光放大器結(jié)構(gòu)及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高效耦合的硅基異質(zhì)集成半導(dǎo)體光放大器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底層，包括硅襯底層和位于硅襯底層之上的埋氧SIO2層；硅波導(dǎo)，位于所述襯底層之上，所述硅波導(dǎo)包括第一硅波導(dǎo)部分和第二硅波導(dǎo)部分，第一硅波導(dǎo)部分和第二硅波導(dǎo)部分沿預(yù)設(shè)方向排布，第一硅波導(dǎo)部分和第二硅波導(dǎo)部分之間間隔預(yù)設(shè)距離；半導(dǎo)體光放大器，底部的基底在長度方向上設(shè)置有預(yù)設(shè)高度的卡槽結(jié)構(gòu)，以通過所述卡槽結(jié)構(gòu)兩側(cè)的槽壁使半導(dǎo)體光放大器卡扣在所述第一硅波導(dǎo)部分、第二硅波導(dǎo)部分及二者之間的間隙的上方；所述卡槽的寬度不低于所述硅波導(dǎo)的寬度，所述卡槽的高度不低于所述硅波導(dǎo)的厚度；所述長度方向?yàn)楣璨▽?dǎo)中光信號(hào)傳播的方向；覆蓋層，位于所述半導(dǎo)體光放大器之上，用于集成SOA與硅波導(dǎo)，以及保護(hù)半導(dǎo)體光放大器免受大氣中水、氧的侵襲；所述第一硅波導(dǎo)部分與第二硅波導(dǎo)部分之間的間距為4-6μm。

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