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龍圖騰網恭喜浙江旺榮半導體有限公司申請的專利電力半導體元件及其加工裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117594646B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311526090.3，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權電力半導體元件及其加工裝置是由鄭鎮榮;高志亞;柳和廷;李宗憲;金東植;石松禮設計研發完成，并于2023-11-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本電力半導體元件及其加工裝置在說明書摘要公布了：本說明書實施例提供一種電力半導體元件及其加工裝置，其中所述電力半導體元件包括：形成場截止層的第一半導體層、第二半導體層形成于所述第一半導體層上、電荷蓄積層形成于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間，且摻雜濃度高于所述第一半導體層和第一柵極和第二柵極；第一溝槽部及第二溝槽部貫穿所述第二半導體層，延伸至第一半導體層，且相互間隔一定距離；發射極形成于所述第二半導體層上方；發射層形成于所述第一溝槽部與所述第二溝槽部之間，且與所述第一溝槽部和所述第二溝槽部接觸；能夠通過限制短路電路最大電流容量的結構，加強電力半導體元件的健全性，防止發生短路時電力半導體元件在保護電路運行前被破壞，并有短路電流流動。

本發明授權電力半導體元件及其加工裝置在權利要求書中公布了：1.一種電力半導體元件，其特征在于，包括：形成場截止層111的第一半導體層110、第二半導體層120形成于所述第一半導體層110上、電荷蓄積層130形成于所述第一半導體層110和所述第二半導體層120之間，所述電荷蓄積層130的摻雜濃度高于所述第一半導體層110的摻雜濃度；第一溝槽部140及第二溝槽部140a貫穿所述第二半導體層120，延伸至第一半導體層110，且相互間隔一定距離；發射極150形成于所述第二半導體層120上方；第一發射層160和第二發射層160a形成于所述第一溝槽部140與所述第二溝槽部140a之間，且與所述第一溝槽部140和所述第二溝槽部140a接觸；第一勢壘層170及第二勢壘層170a平行設于所述第一溝槽部140和所述第二溝槽部140a的下方，相互間隔一定距離，且與所述第一溝槽部140和所述第二溝槽部140a垂直相交，阻礙電子從所述第一發射層160和第二發射層160a向集電極180流動；集電極180與形成于所述第一半導體層110下方的集電層181相連；所述第一發射層160和所述第二發射層160a分別形成于第一勢壘層170和第二勢壘層170a隔開的空間的正上方；根據第一發射層160和第二發射層160a長度方向的尺寸和第一勢壘層170和第二勢壘層170a之間的間隔距離調節最大電流量的特征。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江旺榮半導體有限公司，其通訊地址為：323010 浙江省麗水市蓮都區南明山街道惠民街347號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。