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龍圖騰網恭喜北京中科格勵微科技有限公司申請的專利MEMS元件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117923416B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410029440.3，技術領域涉及：B81B7/02；該發明授權MEMS元件及其制作方法是由趙婷設計研發完成，并于2024-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本MEMS元件及其制作方法在說明書摘要公布了：本公開提出一種MEMS元件及其制作方法，屬于半導體技術領域。MEMS元件包括：一個或多個MEMS單元、設置于MEMS單元上的走線層，絕緣設置于走線層背離MEMS單元一側的一個或多個第一電極和一個或多個第二電極，第一電極和第二電極間隔設置；一個或多個MEMS單元的第一端子通過走線層與一個或多個第一電極電連接，一個或多個MEMS單元的第二端子通過走線層與一個或多個第二電極電連接；多個MEMS單元之間通過走線層電連接。本公開通過走線層既實現MEMS單元與各電極的電連接，同時還實現多個MEMS單元之間的電連接，應用更為靈活，并且在實際應用時無需額外設計重新分布層或施加其他引線方式。

本發明授權MEMS元件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種MEMS元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：基于一套掩膜版在一張或多張晶圓上形成密集排布、相互絕緣且通過襯底連接的多個MEMS單元；多個所述MEMS單元通過劃線槽相鄰接，且所述MEMS單元具有暴露于該MEMS單元表面的第一端子和第二端子；根據需要的MEMS元件尺寸和規格設計用于制作走線層的一個掩膜版，以及用于制作第一電介質層、第一電極連接通孔、第二電極連接通孔的三個掩膜版，并對已制作出MEMS單元的晶圓進行加工，包括：通過走線層的掩膜版在一個或多個MEMS單元的第一端子和第二端子上形成走線部，多個MEMS單元上的第一端子與第二端子通過所述走線部電連接；通過第一電介質層的掩膜版在所述走線層上形成第一電介質層，并通過其他兩個電極連接通孔的掩膜版在所述第一電介質層上間隔開設一個或多個第一電極連接通孔和一個或多個第二電極連接通孔；在所述一個或多個第一電極連接通孔內對應形成一個或多個第一電極，在所述一個或多個第二電極連接通孔內對應形成一個或多個第二電極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京中科格勵微科技有限公司，其通訊地址為：100190 北京市海淀區中關村南一條甲1號2號樓10層1001室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。