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  • 本發明公開了一種半導體外延片及其工藝方法，半導體外延片包括：襯底、位于襯底上的N型氮化物層、氮化物發光層及P型氮化物復合層。P型氮化物復合層包括P型氮化物種子層以及自下而上循環交替層疊生成的連接層和P型氮化物子層，P型氮化物種子層及P型氮化...
  • 本申請提供一種驅動背板、外延片及制備方法、顯示模組、電子設備，涉及電子技術領域，用于提高顯示模組中發光器件的效率。驅動背板，包括襯底、驅動電路層、反射層以及第一鍵合層，驅動電路層、反射層以及第一鍵合層依次設置在襯底的同一側。反射層包括層疊設...
  • 本公開提出一種半導體器件及其制造方法。半導體器件包括半導體層。半導體層具有相對的第一表面和第二表面。半導體層包括：源極區和柵極區。源極區包括N型源區、第一P型體層和載流子存儲層。柵極區包括柵氧化層和多晶硅。多晶硅的側壁和底部被柵氧化層包圍。...
  • 一種半導體電力裝置，包括有源區，有源區包括第一導電類型的漂移區；第二導電類型的體區，其中第二導電類型與第一導電類型相反；超級結區，其至少部分地布置在漂移區與體區之間，超級結區包括：第一導電類型的第一柱，第二導電類型的第二柱的至少一部分，第一...
  • 本發明涉及一種具有隔離結構的半導體器件及隔離結構的制造方法，所述半導體器件包括：襯底；第一摻雜區，位于襯底上，摻雜濃度小于襯底的摻雜濃度；結隔離結構，包括第一埋藏區和與第一埋藏區直接接觸的第二埋藏區，第一埋藏區位于第一摻雜區上，第二埋藏區位...
  • 本發明提供一種半導體結構及其形成方法，其中，半導體結構的形成方法包括：提供一基底，在基底的表面自下而上依次形成柵氧化層和柵極結構，柵極結構暴露出柵氧化層的周邊區域；對柵氧化層兩側的基底刻蝕以形成溝槽；對周邊區域執行離子注入形成防擴散區域以防...
  • 本申請公開了一種上行波束管理方法、裝置、通信設備及存儲介質，屬于通信技術領域，本申請實施例的上行波束管理方法包括：終端向網絡側設備發送N個第一信號，第一信號用于確定目標上行傳輸的波束，N為正整數；其中，第一信號包括以下任一項：第一上行信號；...
  • 本申請公開了一種下行波束管理方法、裝置、通信設備及存儲介質，屬于通信技術領域，本申請實施例的下行波束管理方法包括：終端接收網絡側設備發送的N個第一信號，該第一信號用于確定目標下行傳輸的目標波束，N為正整數；其中，第一信號包括以下至少一項：第...
  • 本發明實施例提供了一種調試方法及終端設備，包括：調試端設備向運維平臺發送針對終端設備的調試開啟指令，調試信息代理服務器建立連接，訂閱與調試響應相關的消息主題；應用管理服務器向終端設備轉發調試開啟指令；終端設備響應于調試開啟指令，與調試信息代...
  • 本發明提供了一種包覆型富鋰錳基正極材料及其制備方法與應用，所述制備方法包括如下步驟：將富鋰錳基前驅體與鋰源進行混合和一次焙燒、粉碎過篩，得到富鋰錳基一次粉碎料；將富鋰錳基一次粉碎料與共沉淀反應原料液相混合，進行共沉淀反應，共沉淀反應原料包括...
  • 本發明公開了一種半導體器件的制備方法和半導體器件，所述半導體器件的制備方法包括：在碳化硅襯底上生長柵氧膜層；通過氮化退火工藝對所述柵氧膜層進行第一次退火處理；通過惰性氣體退火工藝對所述柵氧膜層進行第二次退火處理。采用該制備方法可以有效減低界...
  • 本申請提供一種柔性顯示面板以及顯示裝置，涉及顯示技術領域，柔性顯示面板包括背膜以及設置在背膜一側的基板；柔性顯示面板具有主體結構區、綁定區以及位于主體結構區與綁定區之間的彎折區，主體結構區包括顯示區以及圍繞顯示區的封裝區；基板包括第一金屬層...
  • 本申請公開了一種串擾補償效果的確定方法、裝置、電子設備以及存儲介質，涉及電子設備技術領域。該方法包括：獲取已補償圖像，其中，已補償圖像通過對存在串擾跳變的圖像進行串擾補償獲得，將已補償圖像中產生串擾跳變的區域確定為第一區域，并將已補償圖像中...
  • 本發明針對傳統的基于生成的模糊測試依賴人工提取協議規范、測試用例通過率低等問題，提出了一種自動的高效率模糊測試模型GRU?SACNNFuzzer。針對現有的模糊測試方法在提取協議規范時僅僅考慮了協議字段的局部特征，本發明在生成對抗網絡的生成...
  • 本申請公開了一種自動駕駛冗余控制系統及方法。其中，該系統包括：互為冗余的第一主控制單元和第二主控制單元，多組互為冗余的第一子控制單元和第二子控制單元，以及仲裁單元，第一主控制單元控制所有第一子控制單元構成第一控制鏈路，控制所有第二子控制單元...
  • 本發明實施例提供了一種自主作業設備的控制方法及自主作業設備，涉及自主作業設備技術領域領域?？刂品椒òǎ夯诮邮盏降膩碓从谀繕丝刂破鞯墓收闲盘柡?或檢測到出現的故障，確定所述自主作業設備所發生故障的當前故障類型，所述目標控制器至少包括：自主...
  • 本發明公開了一種BM?less面板制作方法，包括：在玻璃基板上依次形成金屬膜層和整面阻擋層；在所述阻擋層上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成多晶硅有源層圖形，得到第一晶體管的溝道區、第一源漏極和第二源漏極；在有源層上整面形成柵極絕緣層；在所述柵...
  • 一種門玻璃沖洗裝置，包括有進水閥、沖洗管路和噴嘴，進水閥與噴嘴通過沖洗管路連通，并以進水閥至噴嘴方向定義為進水方向，反之則為回流方向，還包括有防回流料盒和單向閥，防回流料盒設置在進水閥和噴嘴之間且具有一與沖洗管路連通的沖洗管道，沖洗管道內沿...
  • 本發明公開了一種減少離子型稀土礦中雜質鋁浸出的方法，包括如下步驟：依次采用第一浸取劑溶液和第二浸取劑溶液對離子型稀土礦進行浸出，得到稀土浸出液；采用有機萃取劑對稀土浸出液進行離心萃取，得到負載稀土有機相和含鋁萃余液；對含鋁萃余液進行調配，得...
  • 本發明涉及井下供電電纜輸送技術領域，尤其涉及一種分體式井下供電電纜輸送結構，旨在解決因電纜表面附著泥沙、雜質導致電纜出現打滑的現象，影響電纜正常輸送的問題。本發明包括輸送單元和清理單元；輸送單元包括電纜盤，電纜盤可繞自身軸線轉動以釋放電纜；...
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