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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明涉及井下供電電纜輸送技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種分體式井下供電電纜輸送結(jié)構(gòu)，旨在解決因電纜表面附著泥沙、雜質(zhì)導(dǎo)致電纜出現(xiàn)打滑的現(xiàn)象，影響電纜正常輸送的問(wèn)題。本發(fā)明包括輸送單元和清理單元；輸送單元包括電纜盤，電纜盤可繞自身軸線轉(zhuǎn)動(dòng)以釋放電纜；...
  • 本發(fā)明提供一種雙軌道式焊接裝置，涉及焊接技術(shù)領(lǐng)域，包括整體結(jié)構(gòu)和輔助結(jié)構(gòu)，所述輔助結(jié)構(gòu)位于整體結(jié)構(gòu)的底部?jī)蓚?cè)前后位置；所述整體結(jié)構(gòu)包括底板，所述底板的頂部固定連接有若干個(gè)均勻分布的第一框架，所述第一框架的內(nèi)表面中心處固定安裝有電動(dòng)滑臺(tái)，所述...
  • 一種新型加氫催化劑及其制備方法，屬于催化劑技術(shù)領(lǐng)域。包括如下步驟：1）取海泡石于去離子水中浸泡，沉降，除雜，得物質(zhì)a；2）將物質(zhì)a與偏鈦酸混勻，加擴(kuò)孔劑、粘合劑和水，成型，干燥，焙燒，得載體b；3）配制鈷鹽和鎳鹽的混合溶液，加鉬鹽、絡(luò)合劑和...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示面板、顯示面板制備方法及顯示裝置，顯示面板，包括：基板；像素電路層，設(shè)于基板一側(cè)；發(fā)光元件，設(shè)于基板一側(cè)，發(fā)光元件和像素電路層同層設(shè)置，且發(fā)光元件和像素電路層電連接。本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示面板包括基板、像素電路層以及發(fā)...
  • 本公開(kāi)涉及一種深紫外發(fā)光單元，包括第一基板、發(fā)光部以及監(jiān)測(cè)部。其中，第一基板的一側(cè)表面設(shè)置有凹槽；發(fā)光部，設(shè)置于凹槽內(nèi)，適用于向凹槽的外部輸出深紫外光；以及監(jiān)測(cè)部，設(shè)置于凹槽內(nèi)，適用于探測(cè)由發(fā)光部輸出的深紫外光。通過(guò)將發(fā)光部和監(jiān)測(cè)部同時(shí)封裝...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N太陽(yáng)能電池及其制備方法和用電裝置，太陽(yáng)能電池的制備方法包括以下步驟：提供襯底，在所述襯底的一側(cè)表面上制備發(fā)射層；在所述襯底的另一側(cè)表面上，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積依次制備隧穿氧化硅層、本征硅層、第一摻雜多晶硅層以及第二摻雜...
  • 本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池正面鈍化層及其制備方法、太陽(yáng)能電池及其制備方法。太陽(yáng)能電池正面鈍化層的制備方法為：通入水蒸氣對(duì)硅片的發(fā)射極進(jìn)行吹掃和水汽氧化，得到二氧化硅層；在所述二氧化硅層表面沉積鈍化層；其中，所述水汽氧化的條件為：控制溫度為30...
  • 本發(fā)明描述了一種圖像傳感器的制作方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；使用光刻工藝在半導(dǎo)體襯底上形成第一光刻圖形；基于第一光刻圖形進(jìn)行第一類型離子注入，以在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一摻雜區(qū)；移除第一光刻圖形；在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行溝槽隔離工藝，以形成淺槽隔離區(qū)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種光敏晶體管及顯示面板。光敏晶體管包括有源層、柵極絕緣層以及第一透明電極層。有源層設(shè)置在襯底上，有源層形成有溝道區(qū)。柵極絕緣層設(shè)置在有源層上，并覆蓋溝道區(qū)。第一透明電極層至少部分設(shè)置在柵極絕緣層上，以形成光敏晶體管的柵極，溝道...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；占位層，凸于基底，占位層沿第一方向延伸，且沿第二方向平行排布，第一方向垂直于第二方向；工作鰭部，位于占位層上；柵極結(jié)構(gòu)，位于基底上，柵極結(jié)構(gòu)橫跨工作鰭部，并覆蓋工作鰭部的部分頂部和部分側(cè)壁，柵極結(jié)...
  • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)、形成方法和射頻開(kāi)關(guān)，該半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括襯底，位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底內(nèi)的第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)均包括并排分布的至少兩個(gè)子摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)和/或第二摻雜區(qū)中，...
  • 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：提供襯底，其包括形成有第一柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)及形成有第二柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)，第一柵極結(jié)構(gòu)及第二柵極結(jié)構(gòu)的頂部均設(shè)有硬掩模層；在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成外延結(jié)構(gòu)；形成刻蝕停止層覆蓋襯底的表面、第一柵...
  • 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：提供襯底，其包括形成有第一柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)及形成有第二柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)；形成第一圖形化的掩模覆蓋襯底、第一柵極結(jié)構(gòu)及第二柵極結(jié)構(gòu)，并暴露部分高度的第二柵極結(jié)構(gòu)；執(zhí)行蝕刻工藝去除第二柵極結(jié)構(gòu)上部分高...
  • 一種雙向瞬態(tài)電壓抑制器裝置、結(jié)構(gòu)及其相關(guān)方法。該裝置包括襯底硅層、第一硅基層和第二硅基層。襯底硅層耦合到第一硅基層。預(yù)基硅層形成在襯底硅層和第二硅基層之間。第二硅基層耦合到預(yù)基硅層。預(yù)基層的極性不同于第二硅基層的極性。
  • 本申請(qǐng)實(shí)施方式提供了一種半導(dǎo)體器件、存儲(chǔ)器系統(tǒng)以及半導(dǎo)體器件的制造方法。該半導(dǎo)體器件包括：多個(gè)半導(dǎo)體柱，沿第一方向和第二方向陣列排布，并且每個(gè)半導(dǎo)體柱沿第三方向延伸；屏蔽結(jié)構(gòu)，位于相鄰的半導(dǎo)體柱之間，并沿第一方向延伸；第一連接結(jié)構(gòu)，位于屏蔽...
  • 本申請(qǐng)涉及鋅離子電池領(lǐng)域，特別涉及一種原位合成二氧化錳電池活性材料及其制備方法，S1:依次將泡沫碳、高錳酸鉀、濃硫酸和去離子水加入高壓反應(yīng)容器中，攪拌均勻，將熱源維持溫度在160℃，保溫6小時(shí)至16小時(shí)，得到第一反應(yīng)液；S2:向第一反應(yīng)液中...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種走線結(jié)構(gòu)、走線結(jié)構(gòu)制備方法及顯示面板，一種走線結(jié)構(gòu)，包括：基板；有機(jī)保護(hù)層，設(shè)于基板一側(cè)，有機(jī)保護(hù)層包括多個(gè)間隔設(shè)置的凹槽；金屬走線層，設(shè)于基板一側(cè)，金屬走線層包括多條金屬走線，金屬走線設(shè)置于凹槽中，金屬走線與凹槽的側(cè)壁相貼...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種圖像配準(zhǔn)質(zhì)量評(píng)估方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及圖像處理領(lǐng)域，包括：獲取針對(duì)目標(biāo)對(duì)象的當(dāng)前待配準(zhǔn)多模態(tài)醫(yī)學(xué)圖像；利用預(yù)設(shè)圖像配準(zhǔn)質(zhì)量評(píng)估模型對(duì)當(dāng)前待配準(zhǔn)多模態(tài)醫(yī)學(xué)圖像進(jìn)行評(píng)估得到初始配準(zhǔn)質(zhì)量評(píng)估結(jié)果；基于初始配準(zhǔn)質(zhì)量評(píng)估結(jié)果...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種數(shù)學(xué)模型的獲取方法和設(shè)備以及運(yùn)籌優(yōu)化方法，該方法可將人工智能技術(shù)用于獲取與運(yùn)籌優(yōu)化問(wèn)題對(duì)應(yīng)的數(shù)學(xué)模型，方法包括：輸出至少一個(gè)問(wèn)題，并獲取每個(gè)問(wèn)題的答案，前述每個(gè)問(wèn)題的答案用于得到第一描述信息，第一描述信息為用于描述運(yùn)籌優(yōu)...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取待處理信息及模型運(yùn)行信息；模型運(yùn)行信息包括模型信息和運(yùn)行提示信息；基于模型運(yùn)行信息中的模型信息，確定待處理信息對(duì)應(yīng)的目標(biāo)模型；基于目標(biāo)模型和模型運(yùn)行信息中的...
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