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最新專利技術(shù)
  • 本公開實施例提供了一種音頻處理方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，其中方法包括：獲取第一音頻和所述第一音頻對應的第一文本；通過第一發(fā)音預測系統(tǒng)，根據(jù)所述第一音頻和所述第一文本預測所述第一文本的第一發(fā)音序列；所述第一發(fā)音序列中標注的所述第一文本中...
  • 本公開實施例提供了一種文本校驗方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，其中方法包括：獲取第一文本和對所述第一文本進行音頻轉(zhuǎn)換后得到的第一音頻數(shù)據(jù)；將所述第一音頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為第二文本；獲取所述第一文本的去掉聲調(diào)的第一拼音序列和所述第二文本的去掉聲調(diào)的第...
  • 本公開提供語音識別方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：從待識別語音的上下文信息中提取第一關(guān)鍵詞，在第一預設(shè)詞庫中查找第一關(guān)鍵詞關(guān)聯(lián)的第二關(guān)鍵詞，并根據(jù)第一關(guān)鍵詞和第二關(guān)鍵詞構(gòu)建目標詞表，利用支持詞語增強的預設(shè)語音識別...
  • 本發(fā)明公開了一種存儲陣列結(jié)構(gòu)及其喚醒方法，所述存儲陣列結(jié)構(gòu)包括：多個存儲單元，所述多個存儲單元呈多行多列排布，其中，每個所述存儲單元均包括選擇開關(guān)晶體管和鐵電電容；位于同一行的多個所述存儲單元的選擇開關(guān)晶體管的柵極與同一字線電連接，位于同一...
  • 本發(fā)明實施例提供一種直餾石腦油屬性的預測方法及系統(tǒng)，屬于石油化工技術(shù)領(lǐng)域。預測方法包括：獲取合成待預測直餾石腦油加入的每種原油所占的比例、每種原油各自對應的直餾石腦油的收率以及鎦程數(shù)據(jù)；將每種原油所占的比例、每種原油各自對應的直餾石腦油的收...
  • 本發(fā)明實施例提供一種二次加工裝置石腦油PINOA值的預測方法、系統(tǒng)、介質(zhì)及處理器，屬于石油化工生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：獲取二次加工裝置中石腦油當前的餾程數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù)，其中餾程數(shù)據(jù)包括：初餾點、各餾出溫度和終餾點；將餾程數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù)輸...
  • 本申請涉及臨床數(shù)據(jù)分析技術(shù)領(lǐng)域，揭示了一種臨床數(shù)據(jù)分析方法、裝置、計算機設(shè)備及存儲介質(zhì)，所述方法包括：通過獲取臨床數(shù)據(jù)，其中，所述臨床數(shù)據(jù)包括目標用戶的生物化學指標和/或心電圖數(shù)據(jù)；對所述臨床數(shù)據(jù)進行預處理，得到目標數(shù)據(jù)；通過訓練好的深度學...
  • 本發(fā)明實施例提供了一種IBC電池鋁漿及IBC電池，其中，本發(fā)明實施例所提供的IBC電池鋁漿包括有機助劑、硼粉、鋁粉、鎵粉、玻璃粉和有機粘合劑。通過在鋁漿中加入鎵粉，因鎵元素具有刻蝕作用且密度較高，在燒結(jié)過程中比鋁快速下降到硅表面，使得Ga?...
  • 本申請公開了一種復合導電薄膜及其制備方法、光電器件及制備方法、顯示裝置，包括導電層及其至少一表面設(shè)有的保護層；所述保護層的材料包括具有親水基團和疏水基團的材料；或者所述保護層的材料包括具有極性基團和非極性基團的材料。本發(fā)明復合導電薄膜中設(shè)有...
  • 本發(fā)明公開了一種超級電容器材料的制備方法，包括：S1，將第一溶液、第二溶液、均苯三甲酸、聚乙烯吡咯烷酮、N,N?二甲基甲酰胺、無水乙醇和水混合，攪拌至透明，再進行水熱反應，得到超級電容器材料前體，第一溶液滿足情況一和/或第二溶液滿足情況二，...
  • 本發(fā)明涉及一種帶電氣聯(lián)鎖功能的聯(lián)鎖裝置及其使用方法，聯(lián)鎖軸(4)上安裝有聯(lián)鎖片(1)、合閘聯(lián)鎖片(5)和分閘聯(lián)鎖片(6)，合閘聯(lián)鎖桿(19)的一端與合閘聯(lián)鎖片(5)接觸，另一端與合閘鉤板(16)接觸，分閘聯(lián)鎖桿(7)的一端與分閘聯(lián)鎖片(6)...
  • 本發(fā)明涉及低壓電器領(lǐng)域，具體涉及一種操作機構(gòu)以及一種包括所述操作機構(gòu)的開關(guān)電器，操作機構(gòu)中：跳扣件、鎖扣件和再扣件分別轉(zhuǎn)動設(shè)置在支架上，復位彈簧設(shè)置在鎖扣件和再扣件之間且兩個彈簧臂分別與鎖扣件和豎臂配合；所述操作機構(gòu)正常分/合閘時，鎖扣件和...
  • 本發(fā)明公開了一種UV波段光源射頻源裝置及工作方法，該裝置包括：MCU和依次串聯(lián)連接的頻率發(fā)生器、調(diào)幅調(diào)相器、功率放大器、正向耦合器、反向耦合器；所述MCU分別與所述頻率發(fā)生器、調(diào)幅調(diào)相器、功率放大器電性相連，且所述MCU通過第一檢波器、第二...
  • 本公開提供一種大尺寸可剝離六方氮化硼的制備方法及其剝離方法，該制備方法包括：S1，對c面藍寶石襯底(3)的表面進行氮化處理，形成AlON層(2)；S2，采用化學氣相沉積法，利用脈沖生長模式，通入硼化物和氨氣使其在AlON層的表面發(fā)生反應，通...
  • 一種半導體制造方法、制造系統(tǒng)、設(shè)備及存儲介質(zhì)，用于對晶圓表面的目標層進行目標操作，目標操作用于實現(xiàn)特定的工藝處理，制造方法包括：對晶圓進行成像處理，得到目標層的圖像作為待處理圖；對待處理圖進行分析，以根據(jù)圖像參數(shù)獲得目標層的當前尺寸，圖像參...
  • 本發(fā)明提供一種晶圓承載結(jié)構(gòu)、晶圓對位系統(tǒng)及晶圓對位方法，晶圓承載結(jié)構(gòu)的表面為或涂覆有反光材料、發(fā)光材料或熒光材料，或晶圓承載結(jié)構(gòu)的表面設(shè)置有光源，使待測晶圓的邊緣明顯。本發(fā)明通過將待測晶圓設(shè)置在可發(fā)光或反光的晶圓承載結(jié)構(gòu)上，利用成像的高辨識...
  • 本申請涉及一種半導體器件及其制備方法，該半導體器件包括：基體層；埋層，設(shè)于基體層上；頂硅層，設(shè)于埋層上；頂硅層上具有間隔排布的多個器件區(qū)；間隔排布的多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)于頂硅層上；至少兩個溝槽隔離結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)位于相鄰的兩個器件區(qū)之間；該至...
  • 本發(fā)明公開了一種功率半導體器件單元、功率半導體模塊、電子設(shè)備和車輛，其中，功率半導體器件單元包括：半導體器件，所述半導體器件的上表面形成有功率端子；母排結(jié)構(gòu)，所述母排結(jié)構(gòu)位于所述半導體器件上，所述母排結(jié)構(gòu)沿第一方向和第二方向延伸，所述母排結(jié)...
  • 本公開實施例提供一種電極極片生產(chǎn)方法、控制裝置和設(shè)備。其中電極極片生產(chǎn)方法包括：沿長度方向?qū)O帶進行分切得到分切極帶，并對所述分切極帶進行復卷得到圓柱形短卷；對所述圓柱形短卷端面進行毛刺長度檢測，確定毛刺的典型長度；根據(jù)所述典型長度特征確定...
  • 本發(fā)明公開了一種用于鈉離子電池的磷化銅負極極片及其制備方法,磷化銅負極極片包括：磷化銅、導電劑和粘結(jié)劑；其中，磷化銅是磷源材料與銅源材料混合均勻后通過固相法制備獲得；粘結(jié)劑為含有羧基和/或羥基的聚合物；磷化銅、導電劑和粘結(jié)劑的質(zhì)量比為[80...
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