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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明屬于農(nóng)藥殺螨技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種含有機錫類化合物的殺螨劑及其應(yīng)用，所述的殺螨劑包含活性成分A和活性成分B，所述的活性成分A為式I化合物：
  • 一種履帶式灌木收獲機及其喂入負(fù)載控制裝置和方法，該履帶式灌木收獲機包括喂入負(fù)載控制裝置，包括：程序控制器，設(shè)置在駕駛室內(nèi)，并與電控液壓泵連接；割臺切割器負(fù)荷傳感器，安裝在割臺收割器上，并與程序控制器連接；切碎滾筒負(fù)荷傳感器，安裝在切碎裝置上...
  • 本發(fā)明涉及一種使鐵電陶瓷材料具備大位移以及形狀記憶效應(yīng)的方法，包括：在鐵電陶瓷薄片上/下表面制備電極后，再經(jīng)過多次正反電場周期化極化處理，從而實現(xiàn)位移以及形狀記憶效應(yīng)的提升；所述鐵電陶瓷薄片的厚度≤0.2mm。
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N自封裝熱電發(fā)電模塊，包括第一覆銅基板，第一覆銅基板與沖壓殼連接形成封閉空間，封閉空間內(nèi)包括依次層疊的導(dǎo)熱緩沖層、第二覆銅基板、擴散阻擋層和N/P熱電偶對，N/P熱電偶對與第一覆銅基板連接，第一覆銅基板為雙層垂直互聯(lián)陶瓷覆銅基...
  • 本發(fā)明公開了一種布線基板、其制作方法及顯示屏，其中，布線基板包括：襯底基板，襯底基板包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，以及用于連接第一表面和第二表面的多個第三表面；多條信號線，位于第一表面之上；橋接件，位于第二表面之上；橋接件包括爬坡區(qū)和平...
  • 本申請涉及一種顯示面板及顯示裝置。顯示面板包括：基板；絕緣結(jié)構(gòu)，設(shè)置于基板上，且位于顯示區(qū)和第一過渡區(qū)；隔斷結(jié)構(gòu)，設(shè)置于絕緣結(jié)構(gòu)上，且界定出第一開口及對應(yīng)第一過渡區(qū)和開孔區(qū)的第二開口；發(fā)光單元，設(shè)置于絕緣結(jié)構(gòu)上，且位于顯示區(qū)；發(fā)光單元還設(shè)于...
  • 本申請實施例提供一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置。發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，發(fā)光器件還包括電子補償層和/或空穴補償層，電子補償層設(shè)于陰極和電子傳輸層之間，空穴補償層設(shè)于陽極和空穴傳輸層之間。該發(fā)...
  • 本申請公開了一種量子點像素單元基板及其制備方法與應(yīng)用，屬于微顯示領(lǐng)域。量子點像素單元基板，包括基板、反光擋墻、圖案化量子點色轉(zhuǎn)換層和氧化層；所述基板上設(shè)置有反光擋墻和圖案化量子點色轉(zhuǎn)換層；所述圖案化量子點色轉(zhuǎn)換層包括圖案化藍(lán)光擴散粒子透過層...
  • 本申請公開了一種發(fā)光器件及顯示面板。發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和直接生長在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)之上的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的第三半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層和第四半導(dǎo)體...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N全彩微型發(fā)光二極管器件及微型發(fā)光二極管顯示面板，該全彩微型發(fā)光二極管器件包括導(dǎo)電基板、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)、第三發(fā)光結(jié)構(gòu)以及紅色色轉(zhuǎn)換層，第一發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于導(dǎo)電基板上，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的出光面上，第一發(fā)光...
  • 本發(fā)明實施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例中，硼摻雜后對P區(qū)進(jìn)行激光氧化，可以形成更加致密、阻擋性能更強的硼硅玻璃層掩膜，不僅使得所制備的p型摻雜區(qū)域具有高表面濃度、高鈍化性能、低接觸電阻的優(yōu)點，也避免了阻擋或刻蝕漿料...
  • 本發(fā)明提供了一種微晶硅層的制備方法、HJT太陽能電池及其制造方法，所述微晶硅層的制備方法包括，在制備微晶硅層的過程中，使用N2O作為氧源進(jìn)行氧摻雜。本發(fā)明通過使用笑氣代替現(xiàn)有技術(shù)的CO2，在微晶硅...
  • 本申請涉及一種存儲器及其制備方法、電子設(shè)備。存儲器包括：襯底；多條第一字線，沿著垂直襯底的第一方向延伸；多個存儲單元，存儲單元包括環(huán)繞第一字線外側(cè)壁的第一柵極絕緣層；多條位線，沿著平行襯底的第三方向延伸且沿著第二方向間隔分布；第二方向和第三...
  • 本公開實施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲陣列結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，位于基底上的第一晶體管以及第二晶體管，第一晶體管包括第一半導(dǎo)體層、第一柵極、讀位線以及讀字線，第一半導(dǎo)體層包括沿第一方向相對的第一端以及第二端，...
  • 本發(fā)明提供一種維護(hù)裝置、液冷系統(tǒng)組件及液冷系統(tǒng)的維護(hù)方法，維護(hù)裝置包括維護(hù)單元和管路收納單元，維護(hù)單元用于在拆除液冷系統(tǒng)的待更換部件的一端之后且在安裝好替換部件之前替換至少部分液冷系統(tǒng)以使液冷介質(zhì)能夠在液冷系統(tǒng)的液冷源和熱交換部件之間循環(huán)流...
  • 本申請?zhí)峁┮环N散熱裝置以及電子設(shè)備。散熱裝置包括外殼、環(huán)形扇葉和驅(qū)動部件。外殼的端面具有進(jìn)風(fēng)口和攝像孔，側(cè)壁設(shè)置有出風(fēng)口。外殼包括底座和圓形蓋體。底座具有環(huán)形凸起部，環(huán)形凸起部與圓形蓋體形成環(huán)形容置空間。環(huán)形凸起部具有圓周方向分布的多個風(fēng)道...
  • 本公開是關(guān)于一種膜層結(jié)構(gòu)及其制備方法、殼體及其加工方法和電子設(shè)備。該膜層結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的基材層、第一油墨層以及第二油墨層；第一油墨層的遠(yuǎn)離基材層一側(cè)的表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域位于第二區(qū)域內(nèi)；第二區(qū)域的邊緣與第一區(qū)域的邊緣間隔第...
  • 電路板包括平臺路徑控制器、周邊元件連接器及開關(guān)。平臺路徑控制器包括時鐘請求接腳及GPIOB接腳。周邊元件連接器包括連接器接腳。開關(guān)受控于GPIOB接腳且耦接于低電位及連接器接腳與時鐘請求接腳之間的線路之間且用以：基于GPIOB接腳的高電位，...
  • 本公開提供一種電子裝置、拼接電子設(shè)備以及電子裝置的制造方法，電子裝置包括一電子面板、一補強板、以及至少三個調(diào)整件。補強板具有彼此相對的一第一面與一第二面，電子面板設(shè)置于補強板的第一面上，且調(diào)整件設(shè)置于第二面上。電子面板具有一上表面，調(diào)整件的...
  • 本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種等離子體氣液放電裝置及裝置控制方法，該放電裝置包括高壓電極、低壓電極以及絕緣基板；其中，絕緣基板的第一表面開設(shè)有多個槽式通道，各槽式通道的深度為微米級；高壓電極與低壓電極用于形成電場，各槽式通道位于電場...
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