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最新專利技術(shù)
  • 本申請?zhí)峁┮环N基站識(shí)別與定位方法及系統(tǒng)、機(jī)器人及存儲(chǔ)介質(zhì)。所述基站設(shè)有預(yù)設(shè)圖案，預(yù)設(shè)圖案具有第一預(yù)設(shè)圖案特征和第二預(yù)設(shè)圖案特征，第一預(yù)設(shè)圖案特征和第二預(yù)設(shè)圖案特征相同或不同，所述機(jī)器人包括相機(jī)及激光雷達(dá)。所述基站識(shí)別與定位方法包括：控制相機(jī)...
  • 公開了一種用于光波導(dǎo)應(yīng)用的納米可壓印樹脂。該納米可壓印樹脂包括基體樹脂、金屬氧化物納米顆粒和光引發(fā)劑。根據(jù)ASTM D1218?21，該納米可壓印樹脂的固化膜在25℃表現(xiàn)出大于或等于1.8(589nm)的折射率，諸如1.9(599nm)。
  • 本文所描述的方法和系統(tǒng)檢測樣品的自發(fā)熒光。這些方法和系統(tǒng)消除了向樣品添加熒光團(tuán)以創(chuàng)建IR吸收的需要。IR源和激發(fā)源用于生成所選擇的樣品的發(fā)射光譜，然后對(duì)該發(fā)射光譜進(jìn)行分析以確定關(guān)于樣品的各種數(shù)據(jù)。
  • 一種確定銑削到樣品的第一區(qū)域中的孔的深度的方法，所述方法包括：將所述樣品定位在具有帶電粒子束柱的處理腔室中；在所述樣品的與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域中直接在所述樣品的頂表面上方沉積材料；使用由所述帶電粒子束柱產(chǎn)生的帶電粒子束在所述樣品的所述...
  • 本發(fā)明涉及一種照明裝置（1），包括光源（100）和光學(xué)反射器（200），該光源具有限定光軸（OA）的主照明方向，該光學(xué)反射器包括兩個(gè)部段，第一部段（210）包括第一壁（211），該第一壁在光軸的方向上在第一高度（H1）上至少部分地圍繞光源延...
  • 實(shí)現(xiàn)能夠設(shè)置電路基板的區(qū)域?qū)掗煹陌雽?dǎo)體模塊。在半導(dǎo)體模塊(1)的絕緣樹脂外殼(2)的上表面具有能夠設(shè)置使用輔助端子(6)來控制多個(gè)半導(dǎo)體芯片的電路基板的第一電路基板設(shè)置區(qū)域(7)、以及能夠設(shè)置電路基板的一部分突出延伸的電路基板突出部的第二電...
  • 本公開的各個(gè)方面整體涉及無線通信。在一些方面，用戶裝備(UE)可接收配置信息，該配置信息指示用于基于該UE處的半雙工(HD)配置與時(shí)分雙工(TDD)載波所關(guān)聯(lián)的全雙工網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行通信的子帶全雙工(SBFD)配置，該SBFD配置對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多...
  • 本文公開了微電子組件、相關(guān)裝置和方法。在一些實(shí)施例中，光子組件可以包括：中介體，具有表面，其中，中介體的材料包括玻璃，并且中介體包括穿玻璃過孔(TGV)；光子集成電路(PIC)，通過光學(xué)膠或熔融接合光學(xué)耦合到中介體的表面，并且通過混合接合互...
  • 提出了一種無線通信系統(tǒng)中的第一設(shè)備（100）的操作方法。所述方法可以包括以下步驟：確定用于發(fā)送與至少一個(gè)PSSCH相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)PSFCH的PSFCH資源，其中，PSFCH資源包括公共交織和第一交織中包括的至少一個(gè)專用PRB，至少一個(gè)PS...
  • 提供了一種用于識(shí)別儲(chǔ)層中缺失儲(chǔ)量的方法、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。攝取儲(chǔ)層中井場的井場數(shù)據(jù)。第一機(jī)器學(xué)習(xí)模型從所述多個(gè)測井生成套管后機(jī)會(huì)和儲(chǔ)層質(zhì)量指標(biāo)。第二機(jī)器學(xué)習(xí)模型基于井場和井之間的儲(chǔ)層質(zhì)量指標(biāo)來確定缺失儲(chǔ)量。第三機(jī)器學(xué)習(xí)模型基于缺失...
  • 控制裝置的處理器構(gòu)成為執(zhí)行以下處理：按照跨越多次以采樣周期(τs)對(duì)(SPAD)像素的響應(yīng)輸出(Os)反復(fù)進(jìn)行采樣處理的檢測周期來對(duì)該響應(yīng)輸出(Os)進(jìn)行累計(jì)而取得輸出累計(jì)值的時(shí)間分布的每個(gè)檢測幀，將使照射定時(shí)與檢測周期的始端定時(shí)對(duì)齊了的基...
  • 根據(jù)本公開的固體氧化物復(fù)合物包括：固體氧化物電解質(zhì)，包括孔；以及氧化物基電極活性材料，在所述孔中。
  • 一種開關(guān)元件，緩和開關(guān)元件的元件部的外周部中的電場集中，具有配置在溝槽內(nèi)的柵極電極，設(shè)置有所述溝槽的元件部具有中央部和外周部，所述元件部具有n型的源極區(qū)域，所述元件部和所述外周部具有p型的體區(qū)域、n型的漂移區(qū)域、及p型的多個(gè)電場緩和區(qū)域，所...
  • 本發(fā)明涉及一種用于光自養(yǎng)CO2固定的電微生物系統(tǒng)，以及相關(guān)的方法、用途和產(chǎn)物，所述系統(tǒng)包括：A)被修飾用于光自養(yǎng)CO2固定的重組工程化細(xì)菌細(xì)胞，其中所述細(xì)菌細(xì)胞包含膜結(jié)合視紫紅質(zhì)分子和用于CO
  • 本發(fā)明涉及核/殼/殼量子點(diǎn)的合成，具體地涉及新型殼合成方法。
  • 本發(fā)明涉及一種超聲轉(zhuǎn)換器，所述超聲轉(zhuǎn)換器具有：容器(2)，所述容器具有開口、與開口相對(duì)置的底部(3)以及將底部(3)與開口連接的側(cè)壁(4)，其中軸向方向(A)從開口指向底部(3)，其中側(cè)壁(4)具有第一區(qū)域(24)，在所述第一區(qū)域中，側(cè)壁(...
  • 本申請涉及集成金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管和肖特基勢壘二極管(SBD)。一種集成的平面半導(dǎo)體裝置包含：襯底、在所述襯底上接合SBD半導(dǎo)體和阻擋金屬的SBD，以及形成于所述襯底上并且包含柵極、源極和漏極的MOS晶體管。所述MOS晶體管的所...
  • 本發(fā)明涉及一種玉米粒型和儲(chǔ)藏物質(zhì)含量顯著關(guān)聯(lián)的SNP標(biāo)記、dCAPS引物及其應(yīng)用。本發(fā)明研究發(fā)現(xiàn)，位于ZmRRP45B基因5’UTR的chr5.s_175413975和3’UTR的chr5.s_175413829及chr5.s...
  • 一種設(shè)備(10)可以包括電子顯示器(12)和圖像處理電路(28)，該電子顯示器用于基于混合的圖像數(shù)據(jù)(60)顯示圖像幀，該圖像處理電路用于通過經(jīng)由混合操作(52)組合第一圖像數(shù)據(jù)(例如，64)和第二圖像數(shù)據(jù)(例如，62)來生成該混合的圖像數(shù)...
  • 本發(fā)明提供了一種用于相機(jī)的高推力致動(dòng)器，而不增加VCM中使用的磁體和線圈的尺寸。一種用于相機(jī)的致動(dòng)器包括：固定部件；可移動(dòng)部件，具有光學(xué)構(gòu)件；多個(gè)磁體，支撐在所述固定部件和所述可移動(dòng)部件中的一個(gè)上；線圈，支撐在所述固定部件和所述可移動(dòng)部件中...
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