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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供一種耗材在位檢測方法、裝置、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。該方法包括根據(jù)數(shù)據(jù)采集裝置采集的信息，確定設(shè)置到營養(yǎng)設(shè)備的耗材的在位狀態(tài)信息；所述在位狀態(tài)信息包括耗材連接件狀態(tài)信息、切換件狀態(tài)信息、防脫件狀態(tài)信息、上游管路狀態(tài)信息、下游管路...
  • 本申請涉及一種檢查序列的參數(shù)修改方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲介質(zhì)。該方法包括：獲取預(yù)設(shè)參數(shù)集；預(yù)設(shè)參數(shù)集中包括多個參數(shù)，參數(shù)為多個檢查序列對應(yīng)的共有參數(shù)；針對待處理的檢查序列，從預(yù)設(shè)參數(shù)集中獲取待處理的檢查序列對應(yīng)的目標(biāo)參數(shù)的參數(shù)信息；根據(jù)...
  • 本公開提出一種用于核電廠的機(jī)組故障檢測方法，包括：在預(yù)設(shè)時間周期內(nèi)的每個數(shù)據(jù)采集時間采集核電廠中目標(biāo)機(jī)組的初始運(yùn)行數(shù)據(jù)，目標(biāo)機(jī)組所處目標(biāo)環(huán)境區(qū)域的初始環(huán)境數(shù)據(jù)，對多個初始運(yùn)行數(shù)據(jù)和與每個初始運(yùn)行數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)采集時間進(jìn)行線性擬合處理，以獲取...
  • 本公開提出一種用于核電廠熱工水力系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)調(diào)節(jié)方法，包括：獲取對熱工水力系統(tǒng)中泵轉(zhuǎn)速調(diào)整至一回路流量滿足預(yù)設(shè)一回路流量條件的第一調(diào)整次數(shù)，對二回路壓力調(diào)整至一回路平均溫度滿足預(yù)設(shè)溫度條件的第二調(diào)整次數(shù)，對二回路給水流量進(jìn)行調(diào)整至二回路給水流...
  • 本發(fā)明提供一種聚合物混合型導(dǎo)體及其制備方法和應(yīng)用。所述聚合物混合型導(dǎo)體包括導(dǎo)電聚合物、砜類小分子添加劑和電解質(zhì)鹽；所述砜類小分子添加劑和電解質(zhì)鹽的質(zhì)量比為(1?3):(1?3)。本發(fā)明將結(jié)合電解質(zhì)鹽的固態(tài)砜類小分子導(dǎo)離子組分引入導(dǎo)電聚合物中...
  • 本發(fā)明專利公開了一種額定電壓1kV及以下改性聚丙烯絕緣電力電纜及其制造方法，包括主線芯、成纜繞包、內(nèi)護(hù)套、鋼帶鎧裝和外護(hù)套，主線芯的絕緣層采用改性聚丙烯作為絕緣材料。改性聚丙烯屬熱塑性材料，可回收再利用，綠色環(huán)保，而且改性聚丙烯有較好的耐熱...
  • 本發(fā)明涉及一種66kV海上風(fēng)力發(fā)電機(jī)用油浸式變壓器，包括鐵芯、低壓線圈、高壓線圈和油箱，其中鐵芯、低壓線圈和高壓線圈均設(shè)于油箱內(nèi)，并且低壓線圈套置于鐵芯的對應(yīng)芯柱上，高壓線圈套置于對應(yīng)的低壓線圈上，低壓線圈的高度H2大于高壓線圈的高度H1，...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N滑動式匝數(shù)可變的抽頭線圈，包括：螺旋結(jié)構(gòu)和滑動桿；螺旋結(jié)構(gòu)包括n≥2匝直徑不等的螺旋線圈和補(bǔ)償電容，補(bǔ)償電容串聯(lián)在螺旋線圈上；滑動桿包括觸頭和長桿；根據(jù)需要接入電路的線圈匝數(shù)k，將滑動桿的端部移動到第k匝裸露線圈處，以將k匝...
  • 本發(fā)明公開了一種復(fù)合材質(zhì)電子鋁箔及其制造方法，屬于電子鋁箔制造技術(shù)領(lǐng)域。為增加鋁電解電容器陽極鋁箔發(fā)孔長度的一致性，提升陽極鋁箔的機(jī)械性能及電容量，通過在電子鋁箔生產(chǎn)過程中采取鑄造芯層板錠技術(shù)，采用特殊的鑄錠方法，在板錠制備高純鋁芯層，經(jīng)過...
  • 一種開關(guān)裝置，包括外殼，在外殼內(nèi)沿第一方向設(shè)置有電磁操作系統(tǒng)以及至少一個接觸單元，所述電磁操作系統(tǒng)包括線圈組件和移動組件，所述移動組件與至少一個接觸單元的動觸頭組件驅(qū)動連接，所述外殼內(nèi)還設(shè)置有控制線路板，所述控制線路板在第二方向或第三方向上...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N直流斷路器，其中，該方法包括：直流斷路器包括：第一主開關(guān)、第二主開關(guān)、第一副開關(guān)、第二副開關(guān)、控制模塊以及電弧抵消模塊，第一主開關(guān)與第一副開關(guān)之間和第二主開關(guān)與第二副開關(guān)之間相互耦合，第一主開關(guān)的與第二主開關(guān)在主回路中串聯(lián)，...
  • 本發(fā)明公開了一種多晶硅柵極刻蝕方法，利用HBr等離子體云轟擊光阻能使光阻內(nèi)的鍵能發(fā)生質(zhì)的變化的特性，在對多晶硅柵極刻蝕過程中增加一道只使用HBr的進(jìn)行線寬修正的步驟，根據(jù)工藝整合的需求，利用線寬修正步驟中HBr氣體的注入流量的調(diào)節(jié)，來減小各...
  • 本發(fā)明提供了一種等離子體工藝方法及等離子體處理設(shè)備，屬于等離子體處理領(lǐng)域，為了保證刻蝕結(jié)構(gòu)的形貌一致性，具體包括通入反應(yīng)氣體，將基片放入反應(yīng)腔，激發(fā)等離子體后執(zhí)行基片刻蝕工藝，并將刻蝕工藝隨著刻蝕深度的推進(jìn)設(shè)為不同的處理階段，每一處理階段都...
  • 本發(fā)明提供了一種等離子體工藝方法及等離子體處理設(shè)備，屬于等離子體處理領(lǐng)域，為了保證刻蝕結(jié)構(gòu)的形貌一致性，具體包括通入反應(yīng)氣體，將基片放入反應(yīng)腔，激發(fā)等離子體后執(zhí)行刻蝕步驟和修飾步驟，其中將激發(fā)等離子體的源射頻的功率和控制方向的偏置射頻的功率...
  • 本申請公開了一種半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體工藝方法，用于通過工藝藥液對工藝腔體內(nèi)的晶圓進(jìn)行工藝處理；所述半導(dǎo)體工藝方法包括：制備濃度為第一濃度，溫度為第一溫度的工藝藥液；將所述工藝腔體內(nèi)的壓力由常壓增大至預(yù)設(shè)...
  • 本發(fā)明提供一種電子封裝組件和一種形成電子封裝組件的方法。該方法包括：提供具有前向表面和背向表面的封裝基板；通過焊料凸塊將背向?qū)щ妷K附接到封裝基板的背向表面上；將封裝基板裝載在第一底部模具上，其中背向?qū)щ妷K面朝上，并利用第一頂部模具使背向?qū)щ?..
  • 本發(fā)明提供一種外延層厚度的測量方法，包括：提供一襯底；通過離子注入工藝在襯底中形成摻雜測試區(qū)；在襯底上形成外延層，外延層與摻雜測試區(qū)具有摻雜濃度差；基于外延層與摻雜測試區(qū)的摻雜濃度差，通過傅立葉變換紅外光譜儀對摻雜測試區(qū)上的外延層進(jìn)行厚度檢...
  • 本申請公開了一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備及其自清洗方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，包括：腔體、承載裝置、防護(hù)罩和自清洗裝置；所述承載裝置和所述防護(hù)罩均設(shè)于所述腔體內(nèi)，所述防護(hù)罩圍設(shè)于所述承載裝置的外側(cè)，所述防護(hù)罩包括沿所述腔體的軸向...
  • 本發(fā)明提供了一種晶圓的解離吸附控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：當(dāng)反應(yīng)腔室中所述晶圓的加工工藝結(jié)束時，關(guān)閉射頻電源功率，停止向反應(yīng)腔室通入反應(yīng)氣體；其中，晶圓下方持續(xù)通入背吹氣體；對晶圓下方的靜電卡盤進(jìn)行電荷中和控制...
  • 本發(fā)明公開了一種基板保持裝置及基板卡盤。該基板保持裝置包括：基座，裝配于基板卡盤的邊緣；支撐部，固定于基座，用于通過設(shè)置在其頂部的球面點(diǎn)接觸并支撐基板；導(dǎo)向柱，固定于基座，用于將基板引導(dǎo)并限位于預(yù)設(shè)位置；夾持件，其活動連接于基座，用于在基板...
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