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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供一種聚合物混合型導(dǎo)體及其制備方法和應(yīng)用。所述聚合物混合型導(dǎo)體包括導(dǎo)電聚合物、砜類小分子添加劑和電解質(zhì)鹽；所述砜類小分子添加劑和電解質(zhì)鹽的質(zhì)量比為(1?3):(1?3)。本發(fā)明將結(jié)合電解質(zhì)鹽的固態(tài)砜類小分子導(dǎo)離子組分引入導(dǎo)電聚合物中...
  • 本發(fā)明專利公開(kāi)了一種額定電壓1kV及以下改性聚丙烯絕緣電力電纜及其制造方法，包括主線芯、成纜繞包、內(nèi)護(hù)套、鋼帶鎧裝和外護(hù)套，主線芯的絕緣層采用改性聚丙烯作為絕緣材料。改性聚丙烯屬熱塑性材料，可回收再利用，綠色環(huán)保，而且改性聚丙烯有較好的耐熱...
  • 本發(fā)明涉及一種66kV海上風(fēng)力發(fā)電機(jī)用油浸式變壓器，包括鐵芯、低壓線圈、高壓線圈和油箱，其中鐵芯、低壓線圈和高壓線圈均設(shè)于油箱內(nèi)，并且低壓線圈套置于鐵芯的對(duì)應(yīng)芯柱上，高壓線圈套置于對(duì)應(yīng)的低壓線圈上，低壓線圈的高度H2大于高壓線圈的高度H1，...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N滑動(dòng)式匝數(shù)可變的抽頭線圈，包括：螺旋結(jié)構(gòu)和滑動(dòng)桿；螺旋結(jié)構(gòu)包括n≥2匝直徑不等的螺旋線圈和補(bǔ)償電容，補(bǔ)償電容串聯(lián)在螺旋線圈上；滑動(dòng)桿包括觸頭和長(zhǎng)桿；根據(jù)需要接入電路的線圈匝數(shù)k，將滑動(dòng)桿的端部移動(dòng)到第k匝裸露線圈處，以將k匝...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合材質(zhì)電子鋁箔及其制造方法，屬于電子鋁箔制造技術(shù)領(lǐng)域。為增加鋁電解電容器陽(yáng)極鋁箔發(fā)孔長(zhǎng)度的一致性，提升陽(yáng)極鋁箔的機(jī)械性能及電容量，通過(guò)在電子鋁箔生產(chǎn)過(guò)程中采取鑄造芯層板錠技術(shù)，采用特殊的鑄錠方法，在板錠制備高純鋁芯層，經(jīng)過(guò)...
  • 一種開(kāi)關(guān)裝置，包括外殼，在外殼內(nèi)沿第一方向設(shè)置有電磁操作系統(tǒng)以及至少一個(gè)接觸單元，所述電磁操作系統(tǒng)包括線圈組件和移動(dòng)組件，所述移動(dòng)組件與至少一個(gè)接觸單元的動(dòng)觸頭組件驅(qū)動(dòng)連接，所述外殼內(nèi)還設(shè)置有控制線路板，所述控制線路板在第二方向或第三方向上...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N直流斷路器，其中，該方法包括：直流斷路器包括：第一主開(kāi)關(guān)、第二主開(kāi)關(guān)、第一副開(kāi)關(guān)、第二副開(kāi)關(guān)、控制模塊以及電弧抵消模塊，第一主開(kāi)關(guān)與第一副開(kāi)關(guān)之間和第二主開(kāi)關(guān)與第二副開(kāi)關(guān)之間相互耦合，第一主開(kāi)關(guān)的與第二主開(kāi)關(guān)在主回路中串聯(lián)，...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅柵極刻蝕方法，利用HBr等離子體云轟擊光阻能使光阻內(nèi)的鍵能發(fā)生質(zhì)的變化的特性，在對(duì)多晶硅柵極刻蝕過(guò)程中增加一道只使用HBr的進(jìn)行線寬修正的步驟，根據(jù)工藝整合的需求，利用線寬修正步驟中HBr氣體的注入流量的調(diào)節(jié)，來(lái)減小各...
  • 本發(fā)明提供了一種等離子體工藝方法及等離子體處理設(shè)備，屬于等離子體處理領(lǐng)域，為了保證刻蝕結(jié)構(gòu)的形貌一致性，具體包括通入反應(yīng)氣體，將基片放入反應(yīng)腔，激發(fā)等離子體后執(zhí)行基片刻蝕工藝，并將刻蝕工藝隨著刻蝕深度的推進(jìn)設(shè)為不同的處理階段，每一處理階段都...
  • 本發(fā)明提供了一種等離子體工藝方法及等離子體處理設(shè)備，屬于等離子體處理領(lǐng)域，為了保證刻蝕結(jié)構(gòu)的形貌一致性，具體包括通入反應(yīng)氣體，將基片放入反應(yīng)腔，激發(fā)等離子體后執(zhí)行刻蝕步驟和修飾步驟，其中將激發(fā)等離子體的源射頻的功率和控制方向的偏置射頻的功率...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體工藝方法，用于通過(guò)工藝藥液對(duì)工藝腔體內(nèi)的晶圓進(jìn)行工藝處理；所述半導(dǎo)體工藝方法包括：制備濃度為第一濃度，溫度為第一溫度的工藝藥液；將所述工藝腔體內(nèi)的壓力由常壓增大至預(yù)設(shè)...
  • 本發(fā)明提供一種電子封裝組件和一種形成電子封裝組件的方法。該方法包括：提供具有前向表面和背向表面的封裝基板；通過(guò)焊料凸塊將背向?qū)щ妷K附接到封裝基板的背向表面上；將封裝基板裝載在第一底部模具上，其中背向?qū)щ妷K面朝上，并利用第一頂部模具使背向?qū)щ?..
  • 本發(fā)明提供一種外延層厚度的測(cè)量方法，包括：提供一襯底；通過(guò)離子注入工藝在襯底中形成摻雜測(cè)試區(qū)；在襯底上形成外延層，外延層與摻雜測(cè)試區(qū)具有摻雜濃度差；基于外延層與摻雜測(cè)試區(qū)的摻雜濃度差，通過(guò)傅立葉變換紅外光譜儀對(duì)摻雜測(cè)試區(qū)上的外延層進(jìn)行厚度檢...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備及其自清洗方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，包括：腔體、承載裝置、防護(hù)罩和自清洗裝置；所述承載裝置和所述防護(hù)罩均設(shè)于所述腔體內(nèi)，所述防護(hù)罩圍設(shè)于所述承載裝置的外側(cè)，所述防護(hù)罩包括沿所述腔體的軸向...
  • 本發(fā)明提供了一種晶圓的解離吸附控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：當(dāng)反應(yīng)腔室中所述晶圓的加工工藝結(jié)束時(shí)，關(guān)閉射頻電源功率，停止向反應(yīng)腔室通入反應(yīng)氣體；其中，晶圓下方持續(xù)通入背吹氣體；對(duì)晶圓下方的靜電卡盤進(jìn)行電荷中和控制...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基板保持裝置及基板卡盤。該基板保持裝置包括：基座，裝配于基板卡盤的邊緣；支撐部，固定于基座，用于通過(guò)設(shè)置在其頂部的球面點(diǎn)接觸并支撐基板；導(dǎo)向柱，固定于基座，用于將基板引導(dǎo)并限位于預(yù)設(shè)位置；夾持件，其活動(dòng)連接于基座，用于在基板...
  • 本發(fā)明提供一種金屬互連結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供一基底，基底上具有第一介質(zhì)層和第一金屬層；在第一金屬層和基底表面形成種子層；在基底上形成犧牲層，在犧牲層中形成電鍍窗口；在電鍍窗口中的種子層上電鍍第二金屬層，藉由電鍍窗口控制第二金屬層的圖案，...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種射頻功率組件和電子設(shè)備，涉及通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。射頻功率組件包括基板、第一芯片、第二芯片、絕緣層、至少三個(gè)導(dǎo)電塊、第一連接部和第二連接部。絕緣層的至少部分設(shè)于第一芯片和第二芯片的遠(yuǎn)離基板的一側(cè)。至少三個(gè)導(dǎo)電塊設(shè)于絕緣層的...
  • 本公開(kāi)涉及一種鹵素?fù)诫s的鎳鈷鋁酸鋰及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進(jìn)行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將所述第一固體物料與鈷源進(jìn)行第二固相混合，并將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進(jìn)行第一熱處理，得到第二固...
  • 本公開(kāi)涉及一種鎳鈷鋁酸鋰正極材料及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進(jìn)行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將鈷源與所述第一固體物料進(jìn)行第二固相混合，將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進(jìn)行第一熱處理，得到第二固體物...
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