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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明公開了一種LCD像素驅(qū)動電路，包括第一像素驅(qū)動單元和第二像素驅(qū)動單元，其均包括第一晶體管、預(yù)存儲電容、第二晶體管、保持電容和像素電容，第一晶體管的第一源漏極耦接至數(shù)據(jù)信號線，柵極耦接至控制信號線，第二源漏極耦接至第二晶體管的柵極以及預(yù)...
  • 本申請屬于無線耳機技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種樂器聲音采樣方法、裝置、計算機可讀存儲介質(zhì)、耳機充電倉及耳機。所述方法包括：在接收到樂器聲音采樣開始指令后，耳機充電倉可以控制耳機按照目標(biāo)拾音方式進行樂器聲音采樣；其中，目標(biāo)拾音方式為與樂器聲音采樣指...
  • 本申請屬于無線耳機技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種樂器訓(xùn)練時長記錄方法、裝置、計算機可讀存儲介質(zhì)、耳機充電倉及耳機。所述方法包括：在接收到開始記錄指令后，耳機充電倉可以控制耳機開始記錄樂器訓(xùn)練時長，并接收耳機采集的音頻數(shù)據(jù)，根據(jù)該音頻數(shù)據(jù)進行樂器識別...
  • 本發(fā)明提出一種重整生成油選擇性加氫合金催化劑的篩選方法、裝置，方法包含：獲取反應(yīng)物信息、可反映反應(yīng)物結(jié)構(gòu)特征的小分子物質(zhì)信息、待篩選的所有合金催化劑體系、過渡金屬與氫原子吸附能力的關(guān)系；為每一合金催化劑體系生成一合金催化劑表面模型，預(yù)測表面...
  • 本申請公開了計算機技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的一種陸相頁巖油儲層評估方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。本申請針對陸相頁巖油儲層的多個巖油參數(shù)，先構(gòu)建多個巖油參數(shù)在預(yù)設(shè)多個數(shù)據(jù)評估維度的評估矩陣，然后根據(jù)評估矩陣確定每一巖油參數(shù)對應(yīng)的權(quán)重值，之后根據(jù)陸相頁巖油儲層的地...
  • 本申請?zhí)峁┮环N救援輔助方法、裝置、系統(tǒng)、電子設(shè)備和計算機存儲介質(zhì)，該方法應(yīng)用于計算機技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：獲取目標(biāo)區(qū)域內(nèi)每個患者的位置信息以及可調(diào)度醫(yī)療資源的位置信息；對每個患者的位置信息和可調(diào)度醫(yī)療資源的位置信息進行整合，并對整合后的信息...
  • 本申請公開一種人群移動趨勢的預(yù)測方法、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，涉及人口預(yù)測技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：獲取預(yù)設(shè)區(qū)域中的目標(biāo)人群產(chǎn)生的移動通信數(shù)據(jù)，移動通信數(shù)據(jù)包括目標(biāo)人群的移動位置；基于目標(biāo)人群的移動位置，確定目標(biāo)人群的健康信息；在確定預(yù)設(shè)區(qū)域與樣本區(qū)...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N核聚變反應(yīng)裝置、系統(tǒng)及方法；核聚變反應(yīng)裝置中真空室的外壁包括連接的內(nèi)環(huán)面和外環(huán)面，外環(huán)面包圍內(nèi)環(huán)面，內(nèi)環(huán)面朝真空室的中軸凸出；真空室包圍該多個第一線圈，該多個第一線圈中至少部分第一線圈沿內(nèi)環(huán)面的周向延伸，且在真空室的軸向上依...
  • 本發(fā)明涉及一種抗摩擦可拉伸電子皮膚及其制備方法與應(yīng)用，該可拉伸電子皮膚的制備方法包括以下步驟：取彈性基體材料分散于溶劑中，得到彈性基體溶液，再倒入容器中烘干成膜，得到可拉伸襯底薄膜；通過微納沉積工藝并結(jié)合圖案化掩模板工藝，在可拉伸襯底薄膜上...
  • 本申請涉及儲能器件正極材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及錳基正極材料及其制備方法與應(yīng)用。錳基正極材料的制備方法包括如下步驟：將包括錳氧化物和堿金屬源進行燒結(jié)處理，得到燒結(jié)物；將燒結(jié)物進行淬火處理，得到錳基正極材料。本申請可將堿金屬離子儲存在制得的錳基正...
  • 本發(fā)明提供一種無線傳輸多功能生命探測儀，涉及生命探測儀領(lǐng)域，包括：啟閉組件，所述啟閉組件由安裝機構(gòu)、操作機構(gòu)和鎖控機構(gòu)組成，解決了現(xiàn)有生命探測儀的手持設(shè)備的開關(guān)按鈕沒有防誤觸結(jié)構(gòu)，在攜帶、移動過程中很容易出現(xiàn)誤碰誤觸意外關(guān)閉手持設(shè)備電源的現(xiàn)...
  • 本發(fā)明公開了一種按鍵結(jié)構(gòu)及其升降機構(gòu)，該升降機構(gòu)包括第一樞接件及第二樞接件。第一樞接件具有樞接孔且包括第一樞接部。第二樞接件包括樞接軸及第二樞接部。樞接軸樞接于樞接孔，而第一樞接部及第二樞接部用以樞接于同一個滑槽。
  • 本發(fā)明提出一種多功能氣隙式熱開關(guān)，具體涉及于熱開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,所述多功能氣隙式熱開關(guān)包括開關(guān)本體，所述開關(guān)本體包括銅柱和殼體其中：所述銅柱包括冷端銅柱和熱端銅柱，所述銅柱與所述殼體固定連接，所述冷端銅柱和所述熱端銅柱均通過慢走絲切割加工而成，...
  • 本發(fā)明公開了一種基于單離子信號的高速數(shù)據(jù)采集方法，以單離子信號特征作為高速采集的硬件處理標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)置一個閾值，記錄從正往負穿過閾值到正向超過閾值期間的信號與起點為有效信號，記錄一次采集的觸發(fā)信號后預(yù)設(shè)采集長度內(nèi)的上述若干組有效數(shù)據(jù)；在下次觸發(fā)...
  • 本發(fā)明公開了一種可精確控制電子槍電子能量的方法，包括方法如下：S1，在電子槍工作過程中，先對電子槍的燈絲進行加熱，不加電離能電場，不發(fā)射電子，直至加熱完成斷開燈絲加熱電源，此時獲得激活態(tài)的電子；S2，在S1過程后再給燈絲和電離室加電離能電場...
  • 本發(fā)明公開了一種介質(zhì)層的刻蝕方法、基片的刻蝕方法及等離子體刻蝕設(shè)備，其中，介質(zhì)層的刻蝕方法包括：提供一等離子體刻蝕反應(yīng)腔，所述等離子體刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)有一基座；將基片放置于所述基座上；所述基片的表面覆蓋介質(zhì)層，所述介質(zhì)層包括中心區(qū)和邊緣區(qū)，所...
  • 本申請公開了一種晶圓吸附裝置、吹掃盤及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，晶圓吸附裝置包括：第一盤體，包括相對設(shè)置的第一面和第二面；手臂桿，中空設(shè)置，且手臂桿一端由第一面的中心貫通至第二面，另一端用于連接機械手臂以及抽氣裝置，以通過抽氣裝置經(jīng)手臂桿對第一盤體的...
  • 本申請實施例公開一種集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。集成電路包括配電網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵線、第一極、第一電極接觸部、第二電極接觸部、電源連通部和隔離層。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。第一電極接觸部和第二電...
  • 本申請實施例公開一種集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。集成電路包括配電網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵線、第一極、電源連通部、第一電極接觸部、第二電極接觸部和隔離層。電源連通部位于相鄰兩條半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間，與配電網(wǎng)絡(luò)接觸。電源連通部將柵...
  • 本發(fā)明公開了一種具有可變封裝電容的射頻功率器件，包括法蘭和內(nèi)匹配射頻功率芯片電路，法蘭由金屬材料制成，法蘭上表面在內(nèi)匹配射頻功率芯片電路外圍設(shè)置有介質(zhì)層，介質(zhì)層上覆蓋有多個離散的金屬片，法蘭、介質(zhì)層和多個金屬片組成多個封裝電容器，法蘭和多個...
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