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  • 本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種燈條，包括基板，所述基板上設(shè)有若干焊盤，每個(gè)所述焊盤上對(duì)應(yīng)設(shè)有一個(gè)發(fā)光組件；所述發(fā)光組件包括倒裝LED芯片、擋墻、熒光膠及設(shè)置在所述基板上的透鏡，所述透鏡包括收光口及與所述收光口相對(duì)的反射面，所述倒裝LE...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制造方法，該器件包括：襯底；位于襯底一側(cè)的N型漂移層；位于N型漂移層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的P型基區(qū)；位于P型基區(qū)中的N型源區(qū)和P型源區(qū)；位于N型源區(qū)和P型源區(qū)之間的柵極溝槽；位于柵極溝槽底部和側(cè)壁的柵極介質(zhì)層，填充柵極溝...
  • 提供一種電子裝置。電子裝置包括基板、第一絕緣層、半導(dǎo)體氧化物層、第二絕緣層與門極電極。第一絕緣層設(shè)置于基板上。半導(dǎo)體氧化物層設(shè)置于第一絕緣層上，且具有第一部分以及相鄰第一部分的第二部分。第二絕緣層設(shè)置于半導(dǎo)體氧化物層上。柵極電極設(shè)置于基板上...
  • 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管以及制備方法，該肖特基二極管包括：襯底；異質(zhì)結(jié)構(gòu)，異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括整面異質(zhì)結(jié)和多個(gè)條形異質(zhì)結(jié)，整面異質(zhì)結(jié)位于襯底上，多個(gè)條形異質(zhì)結(jié)位于整面異質(zhì)結(jié)遠(yuǎn)離襯底的表面，且相鄰兩個(gè)條形異質(zhì)結(jié)間隔排布；陽(yáng)極位于整面異質(zhì)結(jié)遠(yuǎn)離襯底...
  • 本公開的實(shí)施例公開了信息發(fā)送方法、裝置、設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)和程序產(chǎn)品。該方法的一具體實(shí)施方式包括：獲取針對(duì)目標(biāo)預(yù)約對(duì)象的預(yù)約結(jié)果；響應(yīng)于確定該預(yù)約結(jié)果表征與該目標(biāo)預(yù)約對(duì)象已互相溝通，獲取針對(duì)該目標(biāo)預(yù)約對(duì)象的溝通數(shù)據(jù)；對(duì)該溝通數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)指...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種檢索增強(qiáng)生成模型的處理方法和裝置，所述方法包括：檢索增強(qiáng)生成模型接收用戶輸入的第一文本；基于預(yù)設(shè)的文本切割規(guī)則對(duì)第一文本進(jìn)行切割得到對(duì)應(yīng)的第一文本片段序列X{xi}；根據(jù)各個(gè)第一文本片段x...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種基于上下文的問(wèn)答處理方法和裝置，所述方法包括：接收上下文文本、問(wèn)題文本和答案優(yōu)選數(shù)量作為對(duì)應(yīng)的第一上下文、第一問(wèn)題和第一優(yōu)選數(shù)量；將第一上下文和第一問(wèn)題輸入問(wèn)答模型，由問(wèn)答模型根據(jù)第一上下文對(duì)第一問(wèn)題的答案進(jìn)行預(yù)測(cè)得到對(duì)...
  • 本申請(qǐng)涉及一種發(fā)光模組的制作方法、發(fā)光模組和顯示裝置。發(fā)光模組的制作方法包括提供電路基板和發(fā)光器件，發(fā)光器件包括發(fā)光芯片以及將發(fā)光芯片封裝的封裝層；將發(fā)光器件設(shè)于電路基板上；軟化封裝層，以使封裝層流至電路基板上；以及固化封裝層以將電路基板和...
  • 本申請(qǐng)公開了一種顯示芯片及制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述顯示芯片包括：像素單元，所述像素單元包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、量子阱發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層中的一者為n型半導(dǎo)體層，另一者為p型半導(dǎo)體層；其中，在...
  • 本申請(qǐng)公開了一種顯示芯片的制作方法、顯示芯片及基底結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：形成基底結(jié)構(gòu)；所述基底結(jié)構(gòu)包括襯底，以及位于所述襯底一側(cè)的二維材料層；在所述二維材料層背離所述襯底的一側(cè)形成像素單元，所述像素單元包括依次設(shè)置在所述二...
  • 本申請(qǐng)涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片，外延片包括襯底；設(shè)于所述襯底上的成核層；以及設(shè)于所述成核層上的三維過(guò)渡層，所述三維過(guò)渡層包括至少一個(gè)三維過(guò)渡子層，所述三維過(guò)渡子層包括依次周期性層疊的第一晶向結(jié)晶層、第一切換層、第一保持層；所述第...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在原硅區(qū)域形成含硼硅涂層并進(jìn)行激光摻雜處理，即可以對(duì)該原硅區(qū)域進(jìn)行高濃度硼摻雜而形成p型摻雜區(qū)，避免了采用傳統(tǒng)管式硼源的摻雜方式帶來(lái)的副作用，提升了電池的轉(zhuǎn)換效率。
  • 一種MOSFET芯片、晶體管、電源和電子設(shè)備，該MOSFET芯片包括柵極焊盤、至少兩條柵極總線和至少兩個(gè)原胞區(qū)域，至少兩個(gè)原胞區(qū)域中的每個(gè)原胞區(qū)域包括至少一個(gè)原胞單元。至少兩條柵極總線中的每條柵極總線與至少兩個(gè)原胞區(qū)域中不同的原胞區(qū)域連接，...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，可解決集成電路中電子元件實(shí)現(xiàn)歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問(wèn)題。該集成電路包括：基底、電子元件、連接部、二氧化硅層；電子元件設(shè)于基底上，并包括接觸部，接觸部的...
  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于襯底上的溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)包括依次形成于襯底上的溝道層和勢(shì)壘層，溝道結(jié)構(gòu)包括柵極區(qū)域，以及位于柵極區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域與漏極區(qū)域；位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域內(nèi)的第一凹槽，第一凹槽至...
  • 本發(fā)明提供一種分離柵半導(dǎo)體器件的制作方法，包括以下步驟：提供一具有背封層的晶圓，背封層包括依次疊加的內(nèi)層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層；從晶圓正面形成溝槽；形成犧牲氧化層于溝槽內(nèi)壁，并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層；形成溝槽柵結(jié)構(gòu)于溝槽中，...
  • 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通過(guò)調(diào)整刻蝕工藝參數(shù)刻蝕SiC晶圓，主要是向反應(yīng)腔室內(nèi)通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本申請(qǐng)公開了一種基于生成式預(yù)訓(xùn)練GPT模型的標(biāo)注優(yōu)化方法及裝置，涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域，其中，該方法包括：使用標(biāo)注好的第一文本數(shù)據(jù)訓(xùn)練具有N個(gè)預(yù)設(shè)類別的初始分類模型(GPT模型)得到中間分類模型；將待標(biāo)注的第二文本數(shù)據(jù)輸入中間分類模型得到中間...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供一種有害語(yǔ)料挖掘方法，該方法包括：S1、獲取第一有害語(yǔ)料種子樣本以及語(yǔ)料數(shù)據(jù)集；S2、基于第一有害語(yǔ)料種子樣本在語(yǔ)料數(shù)據(jù)集中進(jìn)行文本相似度檢索，得到潛在有害語(yǔ)料樣本集；S3、通過(guò)預(yù)設(shè)的語(yǔ)義特征分類模型對(duì)潛在有害語(yǔ)料樣本集中各...
  • 本公開提供了一種數(shù)據(jù)查詢方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，該方法包括：獲取問(wèn)題語(yǔ)句；根據(jù)預(yù)先建立的生成式模型對(duì)問(wèn)題語(yǔ)句中的圖譜信息進(jìn)行識(shí)別，并將識(shí)別的圖譜信息按照預(yù)設(shè)格式進(jìn)行組合，得到結(jié)構(gòu)化文本表示的圖譜信息；圖譜信息至少包括實(shí)體信息和...
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