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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明公開了一種多功能低靜電尼龍膜的生產(chǎn)方法，尼龍膜由從上至下分布的功能層、上表層、基層和下表層組成；功能層為含碳硼烷單元聚酰亞胺；上表層由PA66、二乙基次磷酸鋁、埃洛石納米管、抗氧劑組成；基層由PA66、抗靜電劑組成；下表層由PA6、有...
  • 本發(fā)明提供醋酸乙烯的合成方法和乙烯法合成醋酸乙烯催化劑及其制備方法；催化劑，包括載體和負(fù)載于載體的Pd、IB族金屬和堿金屬醋酸鹽，其中，催化劑的X射線光電子能譜(XPS)顯示Pd2+狀態(tài)的含量占總Pd元素含量為10％～...
  • 本發(fā)明涉及養(yǎng)殖設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提出了高密度淡水澳龍養(yǎng)殖設(shè)備，包括保護(hù)殼、分配組件、清潔組件以及過濾組件，所述保護(hù)殼的底部固定連接有底板，所述底板的頂部固定連接有內(nèi)防護(hù)層，所述內(nèi)防護(hù)層的內(nèi)部滑動連接有三個陣列等距分布的隔板，所述保護(hù)殼的頂部固定...
  • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法及裝置，該方法簡化了隨機(jī)接入流程：例如將部分物理下行控制信道PDCCH承載的下行控制信息DCI簡化為Msg4的隨路DCI，有利于降低指示開銷，或有效避免PDCCH盲檢，降低A?IoT設(shè)計復(fù)雜度；又例如，將指示隨機(jī)接入沖...
  • 本申請公開機(jī)器人凈化工作點(diǎn)的規(guī)劃方法，包括：步驟1、基于待凈化區(qū)域的重心及待凈化區(qū)域的外接矩形框設(shè)置第一個凈化工作點(diǎn)，再將第一個凈化工作點(diǎn)標(biāo)記到地圖內(nèi)；然后執(zhí)行步驟2；步驟2、控制地圖內(nèi)標(biāo)記的各個凈化工作點(diǎn)均按照目標(biāo)凈化半徑進(jìn)行膨脹操作，獲...
  • 本公開涉及一種基于鑰匙的泊車控制方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及車輛。其中，基于鑰匙的泊車控制方法包括，接收多個目標(biāo)鑰匙中第一目標(biāo)鑰匙發(fā)送出的第一泊車指令；檢測泊車通道的占用狀態(tài)；在檢測到泊車通道的占用狀態(tài)為未被占用的情況下，將泊車通道與第一目標(biāo)鑰...
  • 本發(fā)明涉及一種含尖晶石型非貴金屬氧化物的蜂窩催化劑、制備方法及其應(yīng)用。本發(fā)明的蜂窩催化劑避免或緩解了催化劑成分的團(tuán)聚，從而提高所述蜂窩催化劑的催化活性。另外，本發(fā)明的蜂窩催化劑具有優(yōu)異的抗硫性能和抗壓強(qiáng)度。而且，本發(fā)明的蜂窩催化劑不存在涂覆...
  • 獲取床(BD)上的受檢者(S)的心率的心率獲取裝置(30)具備：心跳波形獲取部(31)，基于設(shè)于所述床的載荷檢測器(11、12、13、14)的輸出來獲取心跳波形，其中，所述心跳波形表示與所述受檢者的心跳相應(yīng)的載荷值的時間性變動；心跳周期推定...
  • 本發(fā)明公開了一種顯示設(shè)備、制備方法及控制方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示設(shè)備包括：第一基板，被配置為驅(qū)動發(fā)光芯片發(fā)光并提供第一電位；發(fā)光芯片，設(shè)置于第一基板一側(cè)，包括第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片、第三發(fā)光芯片，第一發(fā)光芯片、第二發(fā)光芯片和第三發(fā)光...
  • 本發(fā)明提出一種影像感測模塊，包含影像感測晶片、支撐件、透光層以及遮蔽層。影像感測晶片包含影像感測區(qū)。支撐件設(shè)置于影像感測晶片的上表面且環(huán)繞影像感測區(qū)。透光層設(shè)置于支撐件的上表面，透光層的下表面朝向影像感測晶片，且包含透光區(qū)與環(huán)繞該透光區(qū)的遮...
  • 本申請?zhí)峁┮环N芯片及其設(shè)計方法、電子設(shè)備、電路版圖數(shù)據(jù)庫，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，可以縮短第一垂直晶體管的第二極和第二垂直晶體管的柵極的電連接路徑。該芯片包括位于襯底上的標(biāo)準(zhǔn)單元，該標(biāo)準(zhǔn)單元包括：并排排布的第一垂直晶體管和第二垂直晶體管、間隔層、設(shè)...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的形成方法。所述形成方法中，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面形成用于與硅反應(yīng)的金屬層后，在所述金屬層覆蓋含硅導(dǎo)電區(qū)的部分內(nèi)摻雜硅，之后使所述金屬層與所述含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅以及所述金屬層內(nèi)摻雜的硅反應(yīng)，在所述含硅導(dǎo)電區(qū)的表面區(qū)域形成自...
  • 本公開涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲器及電子設(shè)備，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底，疊層結(jié)構(gòu)以及柵極結(jié)構(gòu)；疊層結(jié)構(gòu)位于襯底上，包括由下至上依次疊置的第一端結(jié)構(gòu)、溝道層及第二端結(jié)構(gòu)；第一端結(jié)構(gòu)包括第一端外延層及第一端阻擋層，第一端外延層位于溝道層與襯...
  • 本發(fā)明公開一種電機(jī)、壓縮機(jī)和制冷設(shè)備，其中，電機(jī)包括定子沖片和轉(zhuǎn)子沖片，所述轉(zhuǎn)子沖片轉(zhuǎn)動設(shè)于所定子沖片的內(nèi)側(cè)，所述定子沖片的外環(huán)面設(shè)有朝外凸出的n個接觸凸部，所述轉(zhuǎn)子沖片設(shè)有2P個磁鐵槽，所述磁鐵槽用以供永磁體安裝，所述n與所述P的關(guān)系為：...
  • 本申請公開了一種地圖房間輪廓優(yōu)化方法，包括：獲取目標(biāo)房間的初始房間輪廓；將所述初始房間輪廓分為初始門輪廓以及初始墻體輪廓；對所述初始門輪廓進(jìn)行第一拉直優(yōu)化，以獲得修正門輪廓；對所述初始墻體輪廓進(jìn)行第二拉直優(yōu)化，以獲得修正墻體輪廓；根據(jù)所述修...
  • 本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，提供一種圖像去霧方法、裝置、設(shè)備和存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取第一樣本圖像和第二樣本圖像；第一樣本圖像為對第三樣本圖像進(jìn)行數(shù)據(jù)分級后得到的，第三樣本圖像為無標(biāo)簽的帶霧圖像；第二樣本圖像為帶標(biāo)簽的帶霧圖像；根據(jù)第二樣...
  • 本發(fā)明提供一種海底節(jié)點(diǎn)圖像處理的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲介質(zhì)，方法包括：將原始海底節(jié)點(diǎn)圖像中上下行波成像道集分別逐道進(jìn)行一維雙樹復(fù)小波域帶通濾波處理；將經(jīng)過一維雙樹復(fù)小波域帶通濾波處理的上下行波成像道集分別進(jìn)行二維雙樹復(fù)小波變換；對經(jīng)過二維雙...
  • 本發(fā)明公開了一種基于非局部先驗和局部先驗的深度圖像超分辨重建方法。本方法主要包括下述步驟：首先對高分辨率訓(xùn)練圖像集進(jìn)行分塊處理，并對每個圖像塊根據(jù)歐式距離尋找其M個相似塊組成相似塊，用相似塊組通過EM算法進(jìn)行學(xué)習(xí)的高斯混合模型，從而提取訓(xùn)練...
  • 本申請公開了一種二氧化碳埋存的安全性確定方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，屬于油氣田開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。針對目標(biāo)區(qū)域的二氧化碳埋存，本申請在建立地質(zhì)模型和數(shù)值模擬模型的基礎(chǔ)上，還會對影響二氧化碳泄漏量的參數(shù)進(jìn)行敏感性分析，即本申請會確定各項參數(shù)對二氧化...
  • 本發(fā)明涉及天然氣余壓發(fā)電領(lǐng)域，公開了一種天然氣余壓發(fā)電基準(zhǔn)線排放計算方法、存儲介質(zhì)及計算裝置。本發(fā)明公開的天然氣余壓發(fā)電基準(zhǔn)線排放計算方法，包括：確定基準(zhǔn)線排放量的計算時間段，所述計算時間段內(nèi)包括多個時間單元；根據(jù)各時間單元確定時間相關(guān)因子...
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